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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 760mA（Ta） 540mW（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML5103TRPBF
  仓库库存编号：IRLML5103PBFCT-ND
  别名：*IRLML5103TRPBF
  IRLML5103PBFCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 600mA，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
  详细描述：通孔 P 沟道 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD9120PBF
  仓库库存编号：IRFD9120PBF-ND
  别名：*IRFD9120PBF
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 600mA，10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 760mA（Ta） 540mW（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML5103GTRPBF
  仓库库存编号：IRLML5103GTRPBFCT-ND
  别名：IRLML5103GTRPBFCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 600mA，10V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD9120
  仓库库存编号：IRFD9120-ND
  别名：*IRFD9120
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 600mA，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 1A HEXDIP
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 1A（Ta） 4-HVMDIP
  
  型号：IRFD9123PBF
  仓库库存编号：IRFD9123PBF-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 600mA，10V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 1A（Ta） 4-HVMDIP
  
  型号：IRFD9123
  仓库库存编号：IRFD9123-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 600mA，10V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 760mA（Ta） 540mW（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML5103TR
  仓库库存编号：IRLML5103CT-ND
  别名：*IRLML5103TR
  IRLML5103
  IRLML5103-ND
  IRLML5103CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 600mA，10V,
• 含铅
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