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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.5A(Ta) 900mW(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMG7430LFG-7
仓库库存编号:
DMG7430LFG-7DICT-ND
别名:DMG7430LFG-7DICT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 11 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 13.1A (Ta), 47.6A (Tc) 2.8W Surface Mount PowerDI5060-8
型号:
DMTH6010LPD-13
仓库库存编号:
DMTH6010LPD-13DICT-ND
别名:DMTH6010LPD-13DICT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 11 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET NCH 150V 106A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 18.5A(Ta), 106A(Tc) 8.3W(Ta),277W(Tc) TO-220
型号:
AOT2502L
仓库库存编号:
785-1726-5-ND
别名:785-1726-5
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 11 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 61.8A(Tc) 106W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y12-55B,115
仓库库存编号:
1727-4613-1-ND
别名:1727-4613-1
568-5525-1
568-5525-1-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 11 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2NCH 60V 13.1A POWERDI
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 13.1A (Ta), 47.6A (Tc) 2.8W Surface Mount PowerDI5060-8
型号:
DMTH6010LPDQ-13
仓库库存编号:
DMTH6010LPDQ-13DICT-ND
别名:DMTH6010LPDQ-13DICT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 11 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 80W(Tc) DPAK
型号:
STD40NF3LLT4
仓库库存编号:
497-12558-1-ND
别名:497-12558-1
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 11 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 2.1W(Ta),50W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ110N06NS3 G
仓库库存编号:
BSZ110N06NS3GINCT-ND
别名:BSZ110N06NS3GINCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 11 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 50W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ110N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSZ110N08NS5ATMA1CT-ND
别名:BSZ110N08NS5ATMA1CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 11 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 56A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 85W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y14-40B,115
仓库库存编号:
1727-4940-1-ND
别名:1727-4940-1
568-6234-1
568-6234-1-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 11 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 80W(Tc) D-Pak
型号:
STD40NF03LT4
仓库库存编号:
STD40NF03LT4-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 11 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 15.6W(Tc) PowerDI3333-8
型号:
DMT4011LFG-13
仓库库存编号:
DMT4011LFG-13-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 11 毫欧 @ 20A,10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 15.6W(Tc) PowerDI3333-8
型号:
DMT4011LFG-7
仓库库存编号:
DMT4011LFG-7-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 11 毫欧 @ 20A,10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 11A/12A 8DFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 11A, 12A 1.9W, 2.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)
型号:
AON6926
仓库库存编号:
785-1580-2-ND
别名:AON6926-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 11 毫欧 @ 20A,10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 24V 40A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24V 40A(Tc) 60W(Tc) D-Pak
型号:
STD55NH2LLT4
仓库库存编号:
497-4104-1-ND
别名:497-4104-1
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 11 毫欧 @ 20A,10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 24V 40A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 24V 40A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
STP60NH2LL
仓库库存编号:
STP60NH2LL-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 11 毫欧 @ 20A,10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 40A(Ta) 47W(Tc) DP
型号:
TK40P04M1(T6RSS-Q)
仓库库存编号:
TK40P04M1(T6RSS-Q)-ND
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 25V 25A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 25A(Tc) 2.1W(Ta),30W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD4136
仓库库存编号:
AOD4136-ND
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 11A 8ULTRASO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta),50A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) UltraSO-8?
型号:
AOL1208
仓库库存编号:
AOL1208-ND
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 25A(Tc) 2.1W(Ta),30W(Tc) TO-252-3
型号:
AOD4136L
仓库库存编号:
AOD4136L-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 11 毫欧 @ 20A,10V,
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