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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89
详细描述:表面贴装 P 沟道 200mA(Ta) 560mW(Ta),12.5W(Tc) SOT-89-3
型号:
BSS192,115
仓库库存编号:
1727-4934-1-ND
别名:1727-4934-1
568-6226-1
568-6226-1-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 12 欧姆 @ 200mA,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 200V 0.225A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 225mA(Ta) 1.5W(Ta) SOT-223
型号:
BSP220,115
仓库库存编号:
1727-4929-1-ND
别名:1727-4929-1
568-6221-1
568-6221-1-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 12 欧姆 @ 200mA,10V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 200V 0.175A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 175mA(Tj) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
TP0620N3-G
仓库库存编号:
TP0620N3-G-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 12 欧姆 @ 200mA,10V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 220V 0.12A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 120mA(Tj) 360mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
TP5322K1-G
仓库库存编号:
TP5322K1-G-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 12 欧姆 @ 200mA,10V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 220V 0.26A SOT89-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 260mA(Tj) 1.6W(Ta) TO-243AA(SOT-89)
型号:
TP5322N8-G
仓库库存编号:
TP5322N8-G-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 12 欧姆 @ 200mA,10V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 200V 0.26A SOT89-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 260mA(Tj) 1.6W(Ta) TO-243AA(SOT-89)
型号:
TP2520N8-G
仓库库存编号:
TP2520N8-G-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 12 欧姆 @ 200mA,10V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 220V 0.26A SOT89-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 220V 260mA(Tj) 1.6W(Ta) TO-243AA(SOT-89)
型号:
TP2522N8-G
仓库库存编号:
TP2522N8-G-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 12 欧姆 @ 200mA,10V,
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