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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 320mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
  
  型号：ZVNL110ASTZ
  仓库库存编号：ZVNL110ASCT-ND
  别名：ZVNL110ASCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 500mA，10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Ta） 1.1W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZVNL110GTA
  仓库库存编号：ZVNL110GCT-ND
  别名：ZVNL110G
  ZVNL110GCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 500mA，10V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TN0106N3-G
  仓库库存编号：TN0106N3-G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 500mA，10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 320mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVNL110A
  仓库库存编号：ZVNL110A-ND
  别名：TN0110N3
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 500mA，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：2N7002H6327XTSA2
  仓库库存编号：2N7002H6327XTSA2CT-ND
  别名：2N7002H6327XTSA2CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 500mA，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 300mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6
  
  型号：2N7002DWH6327XTSA1
  仓库库存编号：2N7002DWH6327XTSA1CT-ND
  别名：2N7002DW H6327CT
  2N7002DW H6327CT-ND
  2N7002DWH6327XTSA1CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 500mA，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223
  详细描述：N 沟道 500mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP298H6327XUSA1
  仓库库存编号：BSP298H6327XUSA1CT-ND
  别名：BSP298H6327XUSA1CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 500mA，10V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TN0110N3-G
  仓库库存编号：TN0110N3-G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 500mA，10V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TN0106N3-G-P003
  仓库库存编号：TN0106N3-G-P003-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 500mA，10V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TN0106N3-G-P013
  仓库库存编号：TN0106N3-G-P013-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 500mA，10V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TN0110N3-G-P002
  仓库库存编号：TN0110N3-G-P002-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 500mA，10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 0.385A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 385mA（Ta） 830mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：2N7002E,215
  仓库库存编号：568-4858-1-ND
  别名：568-4858-1
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 500mA，10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 320mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
  
  型号：ZVNL110ASTOA
  仓库库存编号：ZVNL110ASTOA-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 500mA，10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 320mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
  
  型号：ZVNL110ASTOB
  仓库库存编号：ZVNL110ASTOB-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 500mA，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 500mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP298 E6327
  仓库库存编号：BSP298 E6327-ND
  别名：BSP298E6327T
  SP000011109
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 500mA，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 500mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP298L6327HUSA1
  仓库库存编号：BSP298L6327HUSA1TR-ND
  别名：BSP298 L6327
  BSP298 L6327-ND
  BSP298L6327XT
  SP000088258
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 500mA，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 300mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：2N7002 L6327
  仓库库存编号：2N7002 L6327-ND
  别名：2N7002L6327HTSA1
  SP000408440
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 500mA，10V,
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  MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 300mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6
  
  型号：2N7002DW L6327
  仓库库存编号：2N7002DW L6327-ND
  别名：SP000408436
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 500mA，10V,
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