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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.6A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9120TRPBF
仓库库存编号:
IRFR9120PBFCT-ND
别名:*IRFR9120TRPBF
IRFR9120PBFCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 600 毫欧 @ 3.4A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 5.6A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 5.6A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU9120PBF
仓库库存编号:
IRFU9120PBF-ND
别名:*IRFU9120PBF
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 600 毫欧 @ 3.4A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.6A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9120TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR9120TRLPBFCT-ND
别名:IRFR9120TRLPBFCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 600 毫欧 @ 3.4A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 8A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80R600P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD80R600P7ATMA1CT-ND
别名:IPD80R600P7ATMA1CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 600 毫欧 @ 3.4A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 60W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R600P7AKMA1
仓库库存编号:
IPU80R600P7AKMA1-ND
别名:SP001644622
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 600 毫欧 @ 3.4A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 60W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS80R600P7AKMA1
仓库库存编号:
IPS80R600P7AKMA1-ND
别名:SP001644630
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 600 毫欧 @ 3.4A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 28W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA80R600P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA80R600P7XKSA1-ND
别名:SP001644604
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 600 毫欧 @ 3.4A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 60W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP80R600P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP80R600P7XKSA1-ND
别名:SP001644610
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 600 毫欧 @ 3.4A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 5.6A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9120
仓库库存编号:
IRFR9120-ND
别名:*IRFR9120
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 600 毫欧 @ 3.4A,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 5.6A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9120TR
仓库库存编号:
IRFR9120TR-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 600 毫欧 @ 3.4A,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 5.6A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9120TRL
仓库库存编号:
IRFR9120TRL-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 600 毫欧 @ 3.4A,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 5.6A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 100V 5.6A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU9120
仓库库存编号:
IRFU9120-ND
别名:*IRFU9120
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 600 毫欧 @ 3.4A,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 5.6A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9120TRR
仓库库存编号:
IRFR9120TRR-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 600 毫欧 @ 3.4A,10V,
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