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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 42A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.8A（Ta），42A（Tc） 60W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC160N10NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC160N10NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC160N10NS3 GINCT
  BSC160N10NS3 GINCT-ND
  BSC160N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 16 毫欧 @ 33A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），79A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB2532
  仓库库存编号：FDB2532CT-ND
  别名：FDB2532CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 16 毫欧 @ 33A，10V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 79A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB2532_F085
  仓库库存编号：FDB2532_F085CT-ND
  别名：FDB2532_F085CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 16 毫欧 @ 33A，10V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 79A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Ta），79A（Tc） 310W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP2532
  仓库库存编号：FDP2532-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 16 毫欧 @ 33A，10V,
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  无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 79A TO-262AB
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 8A（Ta），79A（Tc） 310W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FDI2532
  仓库库存编号：FDI2532-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 16 毫欧 @ 33A，10V,
• 无铅
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