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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 5.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.6A(Tc) 90W(Tc) D-Pak
型号:
STD6NK50ZT4
仓库库存编号:
497-6564-1-ND
别名:497-6564-1
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.2 欧姆 @ 2.8A,10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 5.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Tc) 90W(Tc) I-Pak
型号:
STU6N62K3
仓库库存编号:
497-12699-5-ND
别名:497-12699-5
STU6N62K3-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.2 欧姆 @ 2.8A,10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 5.5A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 620V 5.5A(Tc) 90W(Tc) I2PAK
型号:
STI6N62K3
仓库库存编号:
497-12265-ND
别名:497-12265
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.2 欧姆 @ 2.8A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A 10-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 5.1A(Tc) 31W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA90R1K2C3
仓库库存编号:
IPA90R1K2C3-ND
别名:IPA90R1K2C3XKSA1
Q4141204
SP000413714
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.2 欧姆 @ 2.8A,10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 620V 5.5A I2PAKFP
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Tc) 30W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI6N62K3
仓库库存编号:
497-13269-5-ND
别名:497-13269-5
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.2 欧姆 @ 2.8A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.1A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90R1K2C3BTMA1
仓库库存编号:
IPD90R1K2C3BTMA1CT-ND
别名:IPD90R1K2C3BTMA1CT
IPD90R1K2C3CT
IPD90R1K2C3CT-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.2 欧姆 @ 2.8A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.1A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90R1K2C3ATMA1
仓库库存编号:
IPD90R1K2C3ATMA1CT-ND
别名:IPD90R1K2C3ATMA1CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.2 欧姆 @ 2.8A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 5.1A(Tc) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP90R1K2C3
仓库库存编号:
IPP90R1K2C3-ND
别名:IPP90R1K2C3XKSA1
SP000411302
SP000683096
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.2 欧姆 @ 2.8A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 5.1A(Tc) 83W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW90R1K2C3
仓库库存编号:
IPW90R1K2C3-ND
别名:IPW90R1K2C3FKSA1
SP000413754
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.2 欧姆 @ 2.8A,10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 5.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Tc) 90W(Tc) TO-220AB
型号:
STP6N62K3
仓库库存编号:
497-8450-5-ND
别名:497-8450-5
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.2 欧姆 @ 2.8A,10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 90W(Tc) DPAK
型号:
STDLED627
仓库库存编号:
STDLED627-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.2 欧姆 @ 2.8A,10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 90W(Tc) TO-220
型号:
STPLED627
仓库库存编号:
STPLED627-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.2 欧姆 @ 2.8A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5.1A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI90R1K2C3XKSA1
仓库库存编号:
IPI90R1K2C3XKSA1-ND
别名:IPI90R1K2C3
IPI90R1K2C3-ND
SP000413724
SP000683080
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 5.6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 5.6A(Tc) 90W(Tc) TO-220AB
型号:
STP6NK50Z
仓库库存编号:
497-4385-5-ND
别名:497-4385-5
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.2 欧姆 @ 2.8A,10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 620V 5.5A(Tc) 90W(Tc) D2PAK
型号:
STB6N62K3
仓库库存编号:
STB6N62K3-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.2 欧姆 @ 2.8A,10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 5.5A(Tc) 98W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP6N50C
仓库库存编号:
FQP6N50C-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.2 欧姆 @ 2.8A,10V,
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