规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 25A,10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(16)
分立半导体产品
(16)
筛选品牌
IXYS (5)
Nexperia USA Inc. (5)
NXP USA Inc. (6)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 195W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y6R0-60EX
仓库库存编号:
1727-1116-1-ND
别名:1727-1116-1
568-10271-1
568-10271-1-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 75A(Tc) 182W(Tc) D2PAK
型号:
BUK766R0-60E,118
仓库库存编号:
1727-7256-1-ND
别名:1727-7256-1
568-9885-1
568-9885-1-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 254W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7606-55B,118
仓库库存编号:
1727-5247-1-ND
别名:1727-5247-1
568-6571-1
568-6571-1-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 105W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y07-30B,115
仓库库存编号:
1727-4610-1-ND
别名:1727-4610-1
568-5522-1
568-5522-1-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 40A 68W Surface Mount LFPAK56D
型号:
BUK9K6R2-40E,115
仓库库存编号:
1727-7274-1-ND
别名:1727-7274-1
568-9904-1
568-9904-1-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 254W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK7506-55B,127
仓库库存编号:
568-6618-5-ND
别名:568-6618
568-6618-5
568-6618-ND
934057687127
BUK7506-55B
BUK7506-55B,127-ND
BUK7506-55B-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 76.7A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 76.7A(Tc) 62.5W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH6030L,115
仓库库存编号:
PH6030L,115-ND
别名:934061643115
PH6030L T/R
PH6030L T/R-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 75V 160A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 160A(Tc) 360W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA160N075T
仓库库存编号:
IXTA160N075T-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 75V 160A TO-263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 160A(Tc) 360W(Tc) TO-263-7(IXTA..7)
型号:
IXTA160N075T7
仓库库存编号:
IXTA160N075T7-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 75V 160A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 75V 160A(Tc) 360W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH160N075T
仓库库存编号:
IXTH160N075T-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 75V 160A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 75V 160A(Tc) 360W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP160N075T
仓库库存编号:
IXTP160N075T-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 75V 160A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 75V 160A(Tc) 360W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ160N075T
仓库库存编号:
IXTQ160N075T-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 250W(Tc) D2PAK
型号:
PHB145NQ06T,118
仓库库存编号:
PHB145NQ06T,118-ND
别名:934058549118
PHB145NQ06T /T3
PHB145NQ06T /T3-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 75A SOT533
详细描述:通孔 N 沟道 25V 75A(Tc) 187W(Tc) I-Pak
型号:
PHU108NQ03LT,127
仓库库存编号:
PHU108NQ03LT,127-ND
别名:934058325127
PHU108NQ03LT
PHU108NQ03LT-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 75A(Tc) 187W(Tc) D2PAK
型号:
PHB108NQ03LT,118
仓库库存编号:
PHB108NQ03LT,118-ND
别名:934056956118
PHB108NQ03LT /T3
PHB108NQ03LT /T3-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 75A(Tc) 187W(Tc) DPAK
型号:
PHD108NQ03LT,118
仓库库存编号:
PHD108NQ03LT,118-ND
别名:934056957118
PHD108NQ03LT /T3
PHD108NQ03LT /T3-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号