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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 48.2A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 48.2A（Tc） 106W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y19-75B,115
  仓库库存编号：1727-4614-1-ND
  别名：1727-4614-1
  568-5526-1
  568-5526-1-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 18 毫欧 @ 20A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 53.7A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc）
  
  型号：SIR872DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR872DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR872DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 18 毫欧 @ 20A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta），39.5A（Tc） 2.1W（Ta），40W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ180P03NS3EGATMA1
  仓库库存编号：BSZ180P03NS3EGATMA1CT-ND
  别名：BSZ180P03NS3EGATMA1CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 18 毫欧 @ 20A，10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 47.4A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 47.4A（Tc） 85W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y18-55B,115
  仓库库存编号：1727-4605-1-ND
  别名：1727-4605-1
  568-5515-1
  568-5515-1-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 18 毫欧 @ 20A，10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 49A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Tc） 105W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y18-75B,115
  仓库库存编号：1727-4606-1-ND
  别名：1727-4606-1
  568-5516-1
  568-5516-1-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 18 毫欧 @ 20A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 53.7A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR872ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR872ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR872ADP-T1-GE3CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 18 毫欧 @ 20A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 40A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 60W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP6030BL
  仓库库存编号：FDP6030BL-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 18 毫欧 @ 20A，10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 53.7A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR872ADP-T1-RE3
  仓库库存编号：SIR872ADP-T1-RE3-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 18 毫欧 @ 20A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 50V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 2.5W（Ta），75W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SQD45N05-20L-GE3
  仓库库存编号：SQD45N05-20L-GE3-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 18 毫欧 @ 20A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9A（Ta），39.6A（Tc） 2.1W（Ta），40W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ180P03NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSZ180P03NS3GATMA1TR-ND
  别名：BSZ180P03NS3 G
  BSZ180P03NS3 G-ND
  SP000709744
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 18 毫欧 @ 20A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 40A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Tc） 60W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB6030BL
  仓库库存编号：FDB6030BL-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 18 毫欧 @ 20A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 43A（Tc） 71W（Tc） DPAK-3
  
  型号：NTD5865N-1G
  仓库库存编号：NTD5865N-1GOS-ND
  别名：NTD5865N-1G-ND
  NTD5865N-1GOS
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 18 毫欧 @ 20A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 43A（Tc） 71W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD5865NT4G
  仓库库存编号：NTD5865NT4GOSCT-ND
  别名：NTD5865NT4GOSCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 18 毫欧 @ 20A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 75A（Tc） 3.12W（Ta），312.5W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM75N15-18P-E3
  仓库库存编号：SUM75N15-18P-E3-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 18 毫欧 @ 20A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 90A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 90A（Tc） 3.75W（Ta），375W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP90N15-18P-E3
  仓库库存编号：SUP90N15-18P-E3-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 18 毫欧 @ 20A，10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 100V 40A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 40A（Ta） 93W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK40S10K3Z(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TK40S10K3Z(T6L1NQ-ND
  别名：TK40S10K3Z(T6L1NQ
  TK40S10K3ZT6L1NQ
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 18 毫欧 @ 20A，10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 20V 25A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 25A（Tc） 2.5W（Ta），33W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD4120
  仓库库存编号：AOD4120-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 18 毫欧 @ 20A，10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 25A（Tc） 2.5W（Ta），33W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD4120L
  仓库库存编号：AOD4120L-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 18 毫欧 @ 20A，10V,
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