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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12
  详细描述：Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V 2.9A, 2.3A 2.1W Surface Mount V-DFN5045-12
  
  型号：DMHC10H170SFJ-13
  仓库库存编号：DMHC10H170SFJ-13DICT-ND
  别名：DMHC10H170SFJ-13DICT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 160 毫欧 @ 5A，10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Ta） 1.2W（Ta） TSOT-26
  
  型号：DMN10H170SVT-7
  仓库库存编号：DMN10H170SVT-7DICT-ND
  别名：DMN10H170SVT-7DICT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 160 毫欧 @ 5A，10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 2.6A（Ta） 1.2W（Ta） TSOT-26
  
  型号：DMN10H170SVTQ-7
  仓库库存编号：DMN10H170SVTQ-7DICT-ND
  别名：DMN10H170SVTQ-7DICT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 160 毫欧 @ 5A，10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.9A（Ta） 660mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
  
  型号：DMN10H170SFDE-7
  仓库库存编号：DMN10H170SFDE-7DICT-ND
  别名：DMN10H170SFDE-7DICT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 160 毫欧 @ 5A，10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P CH 60V 10A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 10A（Tc） 30W（Tc） TO-220
  
  型号：STP10P6F6
  仓库库存编号：497-13440-ND
  别名：497-13440
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 160 毫欧 @ 5A，10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P CH 60V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Tc） 35W（Tc） DPAK
  
  型号：STD10P6F6
  仓库库存编号：497-13424-1-ND
  别名：497-13424-1
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 160 毫欧 @ 5A，10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET PCH 60V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Tc） 35W（Tc） DPAK
  
  型号：STD15P6F6AG
  仓库库存编号：STD15P6F6AG-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 160 毫欧 @ 5A，10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 60V 10A TO-220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 10A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF10P6F6
  仓库库存编号：497-13831-5-ND
  别名：497-13831-5
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 160 毫欧 @ 5A，10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 60V 10A IPAK
  详细描述：通孔 P 沟道 10A（Tc） 35W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：STU10P6F6
  仓库库存编号：497-13884-5-ND
  别名：497-13884-5
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 160 毫欧 @ 5A，10V,
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