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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 3.3A(Tc) 36W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF610PBF
仓库库存编号:
IRF610PBF-ND
别名:*IRF610PBF
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.5 欧姆 @ 2A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 62W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FDD5N50NZTM
仓库库存编号:
FDD5N50NZTMCT-ND
别名:FDD5N50NZTMCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.5 欧姆 @ 2A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.3A(Tc) 3W(Ta),36W(Tc) D2PAK
型号:
IRF610SPBF
仓库库存编号:
IRF610SPBF-ND
别名:*IRF610SPBF
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.5 欧姆 @ 2A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 3.3A(Tc) 3W(Ta),36W(Tc) I2PAK
型号:
IRF610LPBF
仓库库存编号:
IRF610LPBF-ND
别名:*IRF610LPBF
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.5 欧姆 @ 2A,10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.3A(Tc) 3W(Ta),36W(Tc) D2PAK
型号:
IRF610STRLPBF
仓库库存编号:
IRF610STRLPBF-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.5 欧姆 @ 2A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.3A(Tc) 3W(Ta),36W(Tc) D2PAK
型号:
IRF610STRRPBF
仓库库存编号:
IRF610STRRPBF-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.5 欧姆 @ 2A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 3.3A(Tc) 36W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF610
仓库库存编号:
IRF610-ND
别名:*IRF610
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.5 欧姆 @ 2A,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3.3A(Tc) 3W(Ta),36W(Tc) D2PAK
型号:
IRF610S
仓库库存编号:
IRF610S-ND
别名:*IRF610S
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.5 欧姆 @ 2A,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 3.3A(Tc) 3W(Ta),36W(Tc) TO-262
型号:
IRF610L
仓库库存编号:
IRF610L-ND
别名:*IRF610L
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.5 欧姆 @ 2A,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3.3A(Tc) 3W(Ta),36W(Tc) D2PAK
型号:
IRF610STRL
仓库库存编号:
IRF610STRL-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.5 欧姆 @ 2A,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3.3A(Tc) 3W(Ta),36W(Tc) D2PAK
型号:
IRF610STRR
仓库库存编号:
IRF610STRR-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.5 欧姆 @ 2A,10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 530V 4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 530V 4A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
FDD5N53TM_WS
仓库库存编号:
FDD5N53TM_WS-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.5 欧姆 @ 2A,10V,
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