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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ018NE2LS
仓库库存编号:
BSZ018NE2LSCT-ND
别名:BSZ018NE2LSCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.8 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP40010EL-GE3
仓库库存编号:
SUP40010EL-GE3-ND
别名:SUP40010EL-GE3TR
SUP40010EL-GE3TR-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.8 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 31A
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Ta),49A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS0300S
仓库库存编号:
FDMS0300SCT-ND
别名:FDMS0300SCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.8 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 30A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta),120A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS8018
仓库库存编号:
FDMS8018CT-ND
别名:FDMS8018CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.8 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 29A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC018NE2LSI
仓库库存编号:
BSC018NE2LSICT-ND
别名:BSC018NE2LSICT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.8 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 30A 8-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta),70A(Tc) 2.5W(Ta),65W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS8560S
仓库库存编号:
FDMS8560SCT-ND
别名:FDMS8560SCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.8 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Ta),49A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS7656AS
仓库库存编号:
FDMS7656ASCT-ND
别名:FDMS7656ASCT
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Tc) 375W(Tc) TO-263-7
型号:
SQM200N04-1M8_GE3
仓库库存编号:
SQM200N04-1M8_GE3-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.8 毫欧 @ 30A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 29A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC018NE2LSATMA1
仓库库存编号:
BSC018NE2LSATMA1CT-ND
别名:BSC018NE2LSCT
BSC018NE2LSCT-ND
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