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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD16403Q5A
  仓库库存编号：296-24249-1-ND
  别名：296-24249-1
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.8 毫欧 @ 20A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA36DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA36DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA36DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.8 毫欧 @ 20A，10V,
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  无铅
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 39A DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 39A（Ta），85A（Tc） 6.2W（Ta），42W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6794
  仓库库存编号：785-1745-1-ND
  别名：785-1745-1
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.8 毫欧 @ 20A，10V,
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  无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），69W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR818DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR818DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR818DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.8 毫欧 @ 20A，10V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR414DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR414DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR414DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.8 毫欧 @ 20A，10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 71W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：IPZ40N04S5L2R8ATMA1
  仓库库存编号：IPZ40N04S5L2R8ATMA1CT-ND
  别名：IPZ40N04S5L2R8ATMA1CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.8 毫欧 @ 20A，10V,
• 无铅
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N CH 30V 85A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85A（Tc） 32.5W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6314
  仓库库存编号：AON6314-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.8 毫欧 @ 20A，10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 50A 3X3DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Ta），50A（Tc） 6.2W（Ta），83W（Tc） 8-DFN-EP（3.3x3.3）
  
  型号：AON7428
  仓库库存编号：785-1233-1-ND
  别名：785-1233-1
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.8 毫欧 @ 20A，10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 21A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 21A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），63W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ028N04LSATMA1
  仓库库存编号：BSZ028N04LSATMA1-ND
  别名：SP001067016
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.8 毫欧 @ 20A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 22A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 22A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta）, 43W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ0502NSIATMA1
  仓库库存编号：BSZ0502NSIATMA1-ND
  别名：SP001288154
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.8 毫欧 @ 20A，10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 20A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 20A（Ta），140A（Tc） 2.1W（Ta），333W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB262L
  仓库库存编号：785-1326-2-ND
  别名：785-1326-2
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.8 毫欧 @ 20A，10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 28A（Ta），50A（Tc） 4.2W（Ta），42W（Tc） 8-DFN-EP（3.3x3.3）
  
  型号：AON7440
  仓库库存编号：AON7440-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.8 毫欧 @ 20A，10V,
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