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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5W(Ta),62.5W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIJ478DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIJ478DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIJ478DP-T1-GE3CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 16.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 16.3A(Ta),70A(Tc) 3.1W(Ta) TO-252-4L
型号:
DMTH6010SK3Q-13
仓库库存编号:
DMTH6010SK3Q-13DICT-ND
别名:DMTH6010SK3Q-13DICT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 16.5A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 16.5A(Ta),88A(Tc) 1.6W(Ta) PowerDI5060-8
型号:
DMNH6008SPSQ-13
仓库库存编号:
DMNH6008SPSQ-13DICT-ND
别名:DMNH6008SPSQ-13DICT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 75A(Tc) 137W(Tc) D2PAK
型号:
BUK969R0-60E,118
仓库库存编号:
1727-7264-1-ND
别名:1727-7264-1
568-9894-1
568-9894-1-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5X6DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta),30A(Tc) 2.3W(Ta),31W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6414A
仓库库存编号:
785-1226-1-ND
别名:785-1226-1
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 13.5A
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.5A(Ta),80A(Tc) 2.2W(Ta), 113W(Tc) PowerDI5060-8
型号:
DMT6010LPS-13
仓库库存编号:
DMT6010LPS-13DICT-ND
别名:DMT6010LPS-13DICT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 16.3A
详细描述:表面贴装 N 沟道 16.3A(Ta),70A(Tc) 3.1W(Ta) TO-252
型号:
DMTH6010SK3-13
仓库库存编号:
DMTH6010SK3-13DICT-ND
别名:DMTH6010SK3-13DICT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 13.5A
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.5A(Ta),100A(Tc) 2.6W(Ta), 136W(Tc) PowerDI5060-8
型号:
DMTH6010LPS-13
仓库库存编号:
DMTH6010LPS-13DICT-ND
别名:DMTH6010LPS-13DICT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.8A(Ta),70A(Tc) 31W(Ta) TO-252
型号:
DMTH6010LK3Q-13
仓库库存编号:
DMTH6010LK3Q-13DICT-ND
别名:DMTH6010LK3Q-13DICT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
DMT6010LSS-13
仓库库存编号:
DMT6010LSS-13DICT-ND
别名:DMT6010LSS-13DICT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 13.5A POWERDI506
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.5A(Ta),100A(Tc) 2.6W(Ta), 136W(Tc) PowerDI5060-8
型号:
DMTH6010LPSQ-13
仓库库存编号:
DMTH6010LPSQ-13DICT-ND
别名:DMTH6010LPSQ-13DICT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 16.5A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 16.5A(Ta),88A(Tc) 3.3W(Ta) PowerDI5060-8
型号:
DMNH6008SPS-13
仓库库存编号:
DMNH6008SPS-13DICT-ND
别名:DMNH6008SPS-13DICT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8 毫欧 @ 20A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),35W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ088N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSZ088N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSZ088N03MSGINCT
BSZ088N03MSGINCT-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.8A(Ta),70A(Tc) 3.1W(Ta) TO-252,(D-Pak)
型号:
DMTH6010LK3-13
仓库库存编号:
DMTH6010LK3-13DICT-ND
别名:DMTH6010LK3-13DICT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8 毫欧 @ 20A,10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V MLFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 69A(Tc) 75W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK7M8R0-40EX
仓库库存编号:
1727-2565-1-ND
别名:1727-2565-1
568-13009-1
568-13009-1-ND
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 6.5A TO251A
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Ta),50A(Tc) 2.3W(Ta),50W(Tc) TO-251A
型号:
AOI4184
仓库库存编号:
AOI4184-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8 毫欧 @ 20A,10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 11A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Ta),72A(Tc) 2.1W(Ta),100W(Tc) TO-220
型号:
AOT2608L
仓库库存编号:
785-1437-5-ND
别名:785-1437-5
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8 毫欧 @ 20A,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 46.5A(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIJ462DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIJ462DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIJ462DP-T1-GE3CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 80V 40A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 40A(Ta) 65W(Tc) LFPAK
型号:
RJK0853DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK0853DPB-00#J5TR-ND
别名:RJK0853DPB-00#J5-ND
RJK0853DPB-00#J5TR
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8 毫欧 @ 20A,10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 130A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 210W(Tc) TO-220AB
型号:
DMNH6008SCT
仓库库存编号:
DMNH6008SCT-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 130A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 210W(Tc) TO-220AB
型号:
DMNH6008SCTQ
仓库库存编号:
DMNH6008SCTQDI-ND
别名:DMNH6008SCTQ-ND
DMNH6008SCTQDI
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 104A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.8W(Ta), 165W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B05NT3G
仓库库存编号:
NVMFS6B05NT3G-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8 毫欧 @ 20A,10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 104A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.8W(Ta), 165W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B05NWFT3G
仓库库存编号:
NVMFS6B05NWFT3G-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8 毫欧 @ 20A,10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 104A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.8W(Ta), 165W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B05NT1G
仓库库存编号:
NVMFS6B05NT1G-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 104A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.8W(Ta), 165W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B05NWFT1G
仓库库存编号:
NVMFS6B05NWFT1G-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8 毫欧 @ 20A,10V,
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