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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 25V 80A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 70W（Tc） DPAK
  
  型号：STD95N2LH5
  仓库库存编号：497-7005-1-ND
  别名：497-7005-1
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.5 毫欧 @ 40A，10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP80NF03L-04
  仓库库存编号：497-2676-5-ND
  别名：497-2676-5
  STP80NF03L04
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.5 毫欧 @ 40A，10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 75V 80A TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK72A08N1,S4X
  仓库库存编号：TK72A08N1S4X-ND
  别名：TK72A08N1,S4X(S
  TK72A08N1,S4X-ND
  TK72A08N1S4X
  TK72A08N1S4X(S
  TK72A08N1S4X(S-ND
  TK72A08N1S4XS
  TK80A08K3(Q)
  TK80A08K3(Q,M)
  TK80A08K3(QM)
  TK80A08K3(QM)-ND
  TK80A08K3Q
  TK80A08K3Q-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.5 毫欧 @ 40A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 24A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta） 5.4W（Ta），254W（Tc） D2PAK
  
  型号：NVB5404NT4G
  仓库库存编号：NVB5404NT4G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.5 毫欧 @ 40A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 115W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL8114PBF
  仓库库存编号：IRL8114PBF-ND
  别名：64-0104PBF
  64-0104PBF-ND
  SP001550392
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.5 毫欧 @ 40A，10V,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP80NF03L
  仓库库存编号：497-4386-5-ND
  别名：497-4386-5
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.5 毫欧 @ 40A，10V,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 136A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 167A（Tc） 5.4W（Ta），254W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB5404NT4G
  仓库库存编号：NTB5404NT4G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.5 毫欧 @ 40A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 60A EPM15
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 60A Through Hole EPM15
  
  型号：FD6M045N06
  仓库库存编号：FD6M045N06-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.5 毫欧 @ 40A，10V,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 136A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 24A（Ta），167A（Tc） 5.4W（Ta），254W（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP5404NRG
  仓库库存编号：NTP5404NRG-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.5 毫欧 @ 40A，10V,
• 无铅
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 1.8W（Ta），115W（Tc） TO-263
  
  型号：NP80N04PLG-E1B-AY
  仓库库存编号：NP80N04PLG-E1B-AYCT-ND
  别名：NP80N04PLG-E1B-AYCT
  NP80N04PLGE1BAY
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.5 毫欧 @ 40A，10V,
• 无铅
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 1.8W（Ta），115W（Tc） TO-263
  
  型号：NP80N04PUG-E1B-AY
  仓库库存编号：NP80N04PUG-E1B-AYCT-ND
  别名：NP80N04PUG-E1B-AYCT
  NP80N04PUGE1BAY
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.5 毫欧 @ 40A，10V,
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