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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3710ZTRPBF
  仓库库存编号：IRFR3710ZTRPBFCT-ND
  别名：IRFR3710ZTRPBFCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 18 毫欧 @ 33A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP180N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP180N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPP180N10N3 G
  IPP180N10N3 G-ND
  IPP180N10N3G
  SP000683090
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 18 毫欧 @ 33A，10V,
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• Infineon Technologies
  MV POWER MOS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD180N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD180N10N3GATMA1TR-ND
  别名：IPD180N10N3GATMA1-ND
  IPD180N10N3GATMA1TR
  SP000900132
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 18 毫欧 @ 33A，10V,
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• Infineon Technologies
  MV POWER MOS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD180N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD180N10N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD180N10N3GATMA1CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 18 毫欧 @ 33A，10V,
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• Infineon Technologies
  MV POWER MOS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD180N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD180N10N3GATMA1DKR-ND
  别名：IPD180N10N3GATMA1DKR
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 18 毫欧 @ 33A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 43A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI180N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPI180N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPI180N10N3 G
  IPI180N10N3 G-ND
  IPI180N10N3G
  SP000683076
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 18 毫欧 @ 33A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 42A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 42A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3710ZPBF
  仓库库存编号：IRFU3710ZPBF-ND
  别名：*IRFU3710ZPBF
  64-4138PBF
  64-4138PBF-ND
  SP001550264
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 18 毫欧 @ 33A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 42A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 42A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3710Z
  仓库库存编号：IRFU3710Z-ND
  别名：*IRFU3710Z
  SP001565168
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 18 毫欧 @ 33A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3710ZTR
  仓库库存编号：IRFR3710ZTR-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 18 毫欧 @ 33A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3710ZTRL
  仓库库存编号：IRFR3710ZTRL-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 18 毫欧 @ 33A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3710ZTRR
  仓库库存编号：IRFR3710ZTRR-ND
  别名：SP001575918
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 18 毫欧 @ 33A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 42A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3710Z-701P
  仓库库存编号：IRFU3710Z-701P-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 18 毫欧 @ 33A，10V,
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  MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRFR3710Z
  仓库库存编号：AUIRFR3710Z-ND
  别名：SP001519588
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 18 毫欧 @ 33A，10V,
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  MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD180N10N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD180N10N3GBTMA1CT-ND
  别名：IPD180N10N3 GCT
  IPD180N10N3 GCT-ND
  IPD180N10N3GBTMA1CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 18 毫欧 @ 33A，10V,
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