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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 2A TO-236AB
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 400mW(Ta),2.8W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
NX2301P,215
仓库库存编号:
1727-1148-1-ND
别名:1727-1148-1
568-10314-1
568-10314-1-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 120 毫欧 @ 1A,4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 16V 4.66A(Tc) 5W(Tc) 8-SO
型号:
PHK04P02T,518
仓库库存编号:
1727-2156-1-ND
别名:1727-2156-1
568-11953-1
568-11953-1-ND
568-12317-1-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 120 毫欧 @ 1A,4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.37A SOT-323
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.37A(Ta) 329mW(Ta) SC-70-3(SOT323)
型号:
NTS4101PT1G
仓库库存编号:
NTS4101PT1GOSCT-ND
别名:NTS4101PT1GOSCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 120 毫欧 @ 1A,4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.37A SOT-323
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 1.37A(Ta) 329mW(Ta) SC-70-3(SOT323)
型号:
NTS4101PT1
仓库库存编号:
NTS4101PT1-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 120 毫欧 @ 1A,4.5V,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.2A 750mW Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
型号:
CSD75205W1015
仓库库存编号:
296-25335-1-ND
别名:296-25335-1
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 120 毫欧 @ 1A,4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 12V 1.52A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 1.52A(Ta) 417mW(Ta) 6-TSOP
型号:
BSH207,135
仓库库存编号:
568-11041-1-ND
别名:568-11041-1
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 120 毫欧 @ 1A,4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 12V 1.52A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 1.52A(Ta) 417mW(Ta) 6-TSOP
型号:
BSH207,135
仓库库存编号:
568-11041-6-ND
别名:568-11041-6
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 120 毫欧 @ 1A,4.5V,
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