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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta),50A(Tc) 135W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD16AN08A0
仓库库存编号:
FDD16AN08A0CT-ND
别名:FDD16AN08A0CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 16 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta),50A(Tc) 135W(Tc) D-Pak
型号:
FDD16AN08A0_F085
仓库库存编号:
FDD16AN08A0_F085CT-ND
别名:FDD16AN08A0_F085CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 16 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 70A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB70N10SL16ATMA1
仓库库存编号:
IPB70N10SL16ATMA1TR-ND
别名:IPB70N10SL-16
IPB70N10SL-16-ND
SP000225700
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 16 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70A(Tc) 250W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI70N10SL16AKSA1
仓库库存编号:
IPI70N10SL16AKSA1-ND
别名:IPI70N10SL-16
IPI70N10SL-16-ND
SP000225705
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 16 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP70N10SL16AKSA1
仓库库存编号:
IPP70N10SL16AKSA1-ND
别名:IPP70N10SL-16
IPP70N10SL-16-ND
SP000225708
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 16 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 70A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB70N10L
仓库库存编号:
SPB70N10L-ND
别名:SP000012079
SPB70N10LT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 16 毫欧 @ 50A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70A(Tc) 250W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI70N10L
仓库库存编号:
SPI70N10L-ND
别名:SP000014005
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 16 毫欧 @ 50A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP70N10L
仓库库存编号:
SPP70N10LIN-ND
别名:SP000012103
SPP70N10L-ND
SPP70N10LIN
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 16 毫欧 @ 50A,10V,
含铅
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