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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 6.7A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9Z14PBF
  仓库库存编号：IRF9Z14PBF-ND
  别名：*IRF9Z14PBF
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 500 毫欧 @ 4A，10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 8A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF12N65M2
  仓库库存编号：497-15531-5-ND
  别名：497-15531-5
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 500 毫欧 @ 4A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.7A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9Z14SPBF
  仓库库存编号：IRF9Z14SPBF-ND
  别名：*IRF9Z14SPBF
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 500 毫欧 @ 4A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 6.7A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9Z10PBF
  仓库库存编号：IRF9Z10PBF-ND
  别名：*IRF9Z10PBF
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 500 毫欧 @ 4A，10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 85W（Tc） DPAK
  
  型号：STD12N65M2
  仓库库存编号：497-15458-1-ND
  别名：497-15458-1
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 500 毫欧 @ 4A，10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 150W（Tc） TO-263
  
  型号：IXTA8N65X2
  仓库库存编号：IXTA8N65X2-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 500 毫欧 @ 4A，10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 150W（Tc） TO-252
  
  型号：IXTY8N65X2
  仓库库存编号：IXTY8N65X2-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 500 毫欧 @ 4A，10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 150W（Tc） TO-220
  
  型号：IXTP8N65X2
  仓库库存编号：IXTP8N65X2-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 500 毫欧 @ 4A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-262
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 6.7A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF9Z14LPBF
  仓库库存编号：IRF9Z14LPBF-ND
  别名：*IRF9Z14LPBF
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 500 毫欧 @ 4A，10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 80W（Tc） DPAK
  
  型号：TK8P60W,RVQ
  仓库库存编号：TK8P60WRVQCT-ND
  别名：TK8P60WRVQCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 500 毫欧 @ 4A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.7A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9Z14STRLPBF
  仓库库存编号：IRF9Z14STRLPBF-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 500 毫欧 @ 4A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 6.7A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9Z10
  仓库库存编号：IRF9Z10-ND
  别名：*IRF9Z10
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 500 毫欧 @ 4A，10V,
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  含铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 8A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Ta） 80W（Tc） I-Pak
  
  型号：TK8Q60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK8Q60WS1VQ-ND
  别名：TK8Q60W,S1VQ(S
  TK8Q60WS1VQ
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 500 毫欧 @ 4A，10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK8A60W,S4VX
  仓库库存编号：TK8A60WS4VX-ND
  别名：TK8A60W,S4VX(M
  TK8A60WS4VX
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 500 毫欧 @ 4A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 6.7A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9Z14
  仓库库存编号：IRF9Z14-ND
  别名：*IRF9Z14
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 500 毫欧 @ 4A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 6.7A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9Z14S
  仓库库存编号：IRF9Z14S-ND
  别名：*IRF9Z14S
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 500 毫欧 @ 4A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-262
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 6.7A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF9Z14L
  仓库库存编号：IRF9Z14L-ND
  别名：*IRF9Z14L
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 500 毫欧 @ 4A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 6.7A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9Z14STRL
  仓库库存编号：IRF9Z14STRL-ND
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 6.7A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9Z14STRR
  仓库库存编号：IRF9Z14STRR-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 500 毫欧 @ 4A，10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 8A（Ta） 35W（Tc） TO-220FN
  
  型号：RDN080N25FU6
  仓库库存编号：RDN080N25FU6-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 500 毫欧 @ 4A，10V,
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