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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R385CPATMA1
仓库库存编号:
IPD60R385CPATMA1CT-ND
别名:IPD60R385CPATMA1CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 385 毫欧 @ 5.2A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 31W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R385CPXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R385CPXKSA1-ND
别名:IPA60R385CP
IPA60R385CP-ND
SP000089316
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 385 毫欧 @ 5.2A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 83W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R385CP
仓库库存编号:
IPL60R385CPCT-ND
别名:IPL60R385CPCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 385 毫欧 @ 5.2A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) TO-220AB
型号:
IXKP10N60C5
仓库库存编号:
IXKP10N60C5-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 385 毫欧 @ 5.2A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB60R385CP
仓库库存编号:
IPB60R385CPCT-ND
别名:IPB60R385CPCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 385 毫欧 @ 5.2A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 650V 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R385CPXKSA1
仓库库存编号:
IPI60R385CPXKSA1-ND
别名:IPI60R385CP
IPI60R385CP-ND
IPI60R385CPAKSA1
IPI60R385CPX
IPI60R385CPXK
SP000103250
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 385 毫欧 @ 5.2A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R385CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP60R385CPXKSA1-ND
别名:IPP60R385CP
IPP60R385CP-ND
IPP60R385CPAKSA1
IPP60R385CPX
IPP60R385CPXK
SP000082281
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 385 毫欧 @ 5.2A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 5.4A(Tc) TO-220ABFP
型号:
IXKP10N60C5M
仓库库存编号:
IXKP10N60C5M-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 385 毫欧 @ 5.2A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R385CPBTMA1
仓库库存编号:
IPD60R385CPBTMA1CT-ND
别名:IPD60R385CPINCT
IPD60R385CPINCT-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 385 毫欧 @ 5.2A,10V,
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