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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.9A（Ta），90A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC060N10NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC060N10NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC060N10NS3 GCT
  BSC060N10NS3 GCT-ND
  BSC060N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 毫欧 @ 50A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 17.7A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 17.7A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC060P03NS3E G
  仓库库存编号：BSC060P03NS3E GCT-ND
  别名：BSC060P03NS3E GCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 毫欧 @ 50A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPDH6N03LAG
  仓库库存编号：IPDH6N03LAGINCT-ND
  别名：IPDH6N03LAGINCT
  IPDH6N03LAGXTINCT
  IPDH6N03LAGXTINCT-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 毫欧 @ 50A，10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 272W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK7C06-40AITE,118
  仓库库存编号：1727-7175-1-ND
  别名：1727-7175-1
  568-9660-1
  568-9660-1-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 毫欧 @ 50A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 100A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 1.65W（Ta），90W（Tc） TO-263-2
  
  型号：2SK4065-DL-1E
  仓库库存编号：2SK4065-DL-1E-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 毫欧 @ 50A，10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 480W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA180N10T2
  仓库库存编号：IXFA180N10T2-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 毫欧 @ 50A，10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 180A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 480W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP180N10T2
  仓库库存编号：IXFP180N10T2-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 毫欧 @ 50A，10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 85V 160A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 160A（Tc） 360W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA160N085T
  仓库库存编号：IXTA160N085T-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 毫欧 @ 50A，10V,
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• IXYS
  MOSFET 2N-CH 85V 112A I5-PAK
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 85V 112A 150W Through Hole ISOPLUSi5-Pak?
  
  型号：IXTL2X200N085T
  仓库库存编号：IXTL2X200N085T-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 毫欧 @ 50A，10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 85V 160A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 160A（Tc） 360W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP160N085T
  仓库库存编号：IXTP160N085T-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 毫欧 @ 50A，10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 85V 160A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 160A（Tc） 360W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ160N085T
  仓库库存编号：IXTQ160N085T-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 毫欧 @ 50A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Ta） 1.65W（Ta），90W（Tc） SMP-FD
  
  型号：2SK4065-DL-E
  仓库库存编号：2SK4065-DL-E-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 毫欧 @ 50A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 100A SMP
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Ta） 1.65W（Ta），90W（Tc） SMP
  
  型号：2SK4065-E
  仓库库存编号：2SK4065-E-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 毫欧 @ 50A，10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 60V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 100A（Tc） 1.8W（Ta），200W（Tc） TO-263
  
  型号：NP100P06PDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP100P06PDG-E1-AY-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 毫欧 @ 50A，10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 60V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 100A（Tc） 1.8W（Ta），200W（Tc） TO-263
  
  型号：NP100P06PLG-E1-AY
  仓库库存编号：NP100P06PLG-E1-AY-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 毫欧 @ 50A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V TO263-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Ta） 1.65W（Ta），90W（Tc） TO-263-2
  
  型号：2SK4065-DL-1EX
  仓库库存编号：2SK4065-DL-1EX-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 毫欧 @ 50A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 18A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 18A（Ta），105A（Tc） 3.8W（Ta），132W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7188TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7188TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7188TRPBFCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 毫欧 @ 50A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 18A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 18A（Ta），105A（Tc） 3.8W（Ta），132W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7187TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7187TRPBF-ND
  别名：SP001566852
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 毫欧 @ 50A，10V,
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