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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC040N10NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC040N10NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC040N10NS5ATMA1CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 50A，10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 116A（Tc） 800mW（Ta），142W（Tc） 8-DSOP Advance
  
  型号：TPW4R008NH,L1Q
  仓库库存编号：TPW4R008NHL1QCT-ND
  别名：TPW4R008NHL1QCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 50A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC040N08NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC040N08NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC040N08NS5ATMA1CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 50A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），100A（Tc） 3.7W（Ta），79W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C645NLAFT3G
  仓库库存编号：NVMFS5C645NLAFT3G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 50A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），100A（Tc） 3.7W（Ta），79W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C645NLAFT1G
  仓库库存编号：NVMFS5C645NLAFT1G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 50A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），100A（Tc） 3.7W（Ta），79W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C645NLT1G
  仓库库存编号：NVMFS5C645NLT1G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 50A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），100A（Tc） 3.7W（Ta），79W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS5C645NLT3G
  仓库库存编号：NTMFS5C645NLT3G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 50A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 22A（Ta），100A（Tc） 3.7W（Ta），79W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS5C645NLT1G
  仓库库存编号：NTMFS5C645NLT1G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 50A，10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 132A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 132A（Tc） 150W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXTC240N055T
  仓库库存编号：IXTC240N055T-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 50A，10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 160A ISOPLUS I4
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 160A（Tc） 200W（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXTF280N055T
  仓库库存编号：IXTF280N055T-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 50A，10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 250A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 250A（Tc） 550W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH250N075T
  仓库库存编号：IXTH250N075T-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 50A，10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 180A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 180A（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ180N055T
  仓库库存编号：IXTQ180N055T-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 50A，10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 250A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 250A（Tc） 550W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ250N075T
  仓库库存编号：IXTQ250N075T-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 50A，10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 250A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 250A（Tc） 550W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXTV250N075T
  仓库库存编号：IXTV250N075T-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 50A，10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 250A PLUS220SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 250A（Tc） 550W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXTV250N075TS
  仓库库存编号：IXTV250N075TS-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 50A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 50A（Tc） 115W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS04N03LA G
  仓库库存编号：IPS04N03LA G-ND
  别名：IPS04N03LAGX
  SP000016330
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 50A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 50A（Tc） 115W（Tc） P-TO251-3
  
  型号：IPU04N03LA
  仓库库存编号：IPU04N03LA-ND
  别名：SP000014621
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 50A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 50A（Tc） 115W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU04N03LA G
  仓库库存编号：IPU04N03LA G-ND
  别名：IPU04N03LAGX
  SP000017593
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 50A，10V,
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