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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF730PBF
仓库库存编号:
IRF730PBF-ND
别名:*IRF730PBF
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1 欧姆 @ 3.3A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF730APBF
仓库库存编号:
IRF730APBF-ND
别名:*IRF730APBF
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1 欧姆 @ 3.3A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730ASPBF
仓库库存编号:
IRF730ASPBF-ND
别名:*IRF730ASPBF
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1 欧姆 @ 3.3A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 5.7A(Tc) 32W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA90R1K0C3
仓库库存编号:
IPA90R1K0C3-ND
别名:IPA90R1K0C3XKSA1
SP000413712
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无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730SPBF
仓库库存编号:
IRF730SPBF-ND
别名:*IRF730SPBF
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1 欧姆 @ 3.3A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730ASTRLPBF
仓库库存编号:
IRF730ASTRLPBF-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1 欧姆 @ 3.3A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730STRLPBF
仓库库存编号:
IRF730STRLPBF-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1 欧姆 @ 3.3A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730STRRPBF
仓库库存编号:
IRF730STRRPBF-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1 欧姆 @ 3.3A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5.7A(Tc) 89W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP90R1K0C3XKSA1
仓库库存编号:
IPP90R1K0C3XKSA1-ND
别名:IPP90R1K0C3
IPP90R1K0C3-ND
SP000413744
SP000683094
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1 欧姆 @ 3.3A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5.7A(Tc) 89W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW90R1K0C3FKSA1
仓库库存编号:
IPW90R1K0C3FKSA1-ND
别名:IPW90R1K0C3
IPW90R1K0C3-ND
SP000413752
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1 欧姆 @ 3.3A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF730
仓库库存编号:
IRF730IR-ND
别名:*IRF730
IRF730IR
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1 欧姆 @ 3.3A,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730S
仓库库存编号:
IRF730S-ND
别名:*IRF730S
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1 欧姆 @ 3.3A,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF730A
仓库库存编号:
IRF730A-ND
别名:*IRF730A
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1 欧姆 @ 3.3A,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730AS
仓库库存编号:
IRF730AS-ND
别名:*IRF730AS
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含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 74W(Tc) I2PAK
型号:
IRF730AL
仓库库存编号:
IRF730AL-ND
别名:*IRF730AL
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1 欧姆 @ 3.3A,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730ASTRL
仓库库存编号:
IRF730ASTRL-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1 欧姆 @ 3.3A,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730ASTRR
仓库库存编号:
IRF730ASTRR-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1 欧姆 @ 3.3A,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 400V 5.5A(Tc) I2PAK
型号:
IRF730L
仓库库存编号:
IRF730L-ND
别名:*IRF730L
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1 欧姆 @ 3.3A,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730STRL
仓库库存编号:
IRF730STRL-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730STRR
仓库库存编号:
IRF730STRR-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1 欧姆 @ 3.3A,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220-5
详细描述:通孔 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 74W(Tc) TO-220-5
型号:
IRC730PBF
仓库库存编号:
IRC730PBF-ND
别名:*IRC730PBF
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1 欧姆 @ 3.3A,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 74W(Tc) I2PAK
型号:
IRF730ALPBF
仓库库存编号:
IRF730ALPBF-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1 欧姆 @ 3.3A,10V,
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MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730ASTRRPBF
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5.7A(Tc) 89W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI90R1K0C3XKSA1
仓库库存编号:
IPI90R1K0C3XKSA1-ND
别名:IPI90R1K0C3
IPI90R1K0C3-ND
SP000413722
SP000683078
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1 欧姆 @ 3.3A,10V,
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