以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N08S2L07ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N08S2L07ATMA1CT-ND
  别名：IPB80N08S2L-07CT
  IPB80N08S2L-07CT-ND
  IPB80N08S2L07ATMA1CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6.8 毫欧 @ 80A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 80A（Tc） 88W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80P03P4L07ATMA1
  仓库库存编号：IPD80P03P4L07ATMA1TR-ND
  别名：IPD80P03P4L-07
  IPD80P03P4L-07-ND
  IPD80P03P4L-07INTR
  IPD80P03P4L-07INTR-ND
  SP000396296
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6.8 毫欧 @ 80A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP100N08S2L07AKSA1
  仓库库存编号：IPP100N08S2L07AKSA1-ND
  别名：IPP100N08S2L-07
  IPP100N08S2L-07-ND
  SP000219052
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6.8 毫欧 @ 80A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB100N08S207ATMA1
  仓库库存编号：IPB100N08S207ATMA1TR-ND
  别名：IPB100N08S2-07
  IPB100N08S2-07-ND
  SP000219044
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6.8 毫欧 @ 80A，10V,
• 无铅
• 搜索