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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 11A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 11A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9640PBF
仓库库存编号:
IRF9640PBF-ND
别名:*IRF9640PBF
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 6.6A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 11A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA90R500C3
仓库库存编号:
IPA90R500C3-ND
别名:IPA90R500C3XKSA1
SP000413716
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 6.6A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 11A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 156W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW90R500C3
仓库库存编号:
IPW90R500C3-ND
别名:IPW90R500C3FKSA1
SP000413756
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 6.6A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Tc) 125W(Tc)
型号:
IRF9640STRRPBF
仓库库存编号:
IRF9640STRRPBFCT-ND
别名:IRF9640STRRPBFCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 6.6A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 11A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 156W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP90R500C3XKSA1
仓库库存编号:
IPP90R500C3XKSA1-ND
别名:IPP90R500C3
IPP90R500C3-ND
SP000413746
SP000683100
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 6.6A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Tc) 3W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9640STRLPBF
仓库库存编号:
IRF9640STRLPBFCT-ND
别名:IRF9640STRLPBFCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 6.6A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 11A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 11A(Tc) 3W(Ta),125W(Tc) I2PAK
型号:
IRF9640LPBF
仓库库存编号:
IRF9640LPBF-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 6.6A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 11A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 900V 11A(Tc) 156W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI90R500C3XKSA1
仓库库存编号:
IPI90R500C3XKSA1-ND
别名:IPI90R500C3
IPI90R500C3-ND
SP000413728
SP000683084
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 6.6A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 11A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 200V 11A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9640
仓库库存编号:
IRF9640-ND
别名:*IRF9640
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 6.6A,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 11A(Tc) 3W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9640S
仓库库存编号:
IRF9640S-ND
别名:*IRF9640S
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 6.6A,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 11A(Tc) 3W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9640STRL
仓库库存编号:
IRF9640STRL-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 6.6A,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 11A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 200V 11A(Tc) 3W(Ta),125W(Tc) I2PAK
型号:
IRF9640L
仓库库存编号:
IRF9640L-ND
别名:*IRF9640L
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 6.6A,10V,
含铅
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MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 11A(Tc) 3W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9640STRR
仓库库存编号:
IRF9640STRR-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 6.6A,10V,
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