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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），80A（Tc） 245W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB050AN06A0
  仓库库存编号：FDB050AN06A0CT-ND
  别名：FDB050AN06A0CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5 毫欧 @ 80A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 115W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP052N06L3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP052N06L3GXKSA1-ND
  别名：IPP052N06L3 G
  IPP052N06L3 G-ND
  SP000680802
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5 毫欧 @ 80A，10V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Ta），80A（Tc） 245W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP050AN06A0
  仓库库存编号：FDP050AN06A0-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5 毫欧 @ 80A，10V,
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  无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta） 254W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8442_F085
  仓库库存编号：FDB8442_F085CT-ND
  别名：FDB8442_F085CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5 毫欧 @ 80A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH TO220-3
  详细描述：通孔 P 沟道 30V 80A（Tc） 137W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80P03P405AKSA1
  仓库库存编号：IPP80P03P405AKSA1-ND
  别名：SP000396388
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5 毫欧 @ 80A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S2LH5AKSA2
  仓库库存编号：IPP80N06S2LH5AKSA2-ND
  别名：SP001063648
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5 毫欧 @ 80A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH TO262-3
  详细描述：通孔 P 沟道 30V 80A（Tc） 137W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI80P03P405AKSA1
  仓库库存编号：IPI80P03P405AKSA1-ND
  别名：SP000396316
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5 毫欧 @ 80A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2L-H5
  仓库库存编号：SPB80N06S2L-H5-ND
  别名：SP000013796
  SPB80N06S2LH5T
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5 毫欧 @ 80A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP100N06S2-05
  仓库库存编号：SPP100N06S2-05-ND
  别名：SP000013720
  SPP100N06S205
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5 毫欧 @ 80A，10V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2L-H5
  仓库库存编号：SPP80N06S2L-H5-ND
  别名：SP000014001
  SPP80N06S2LH5
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5 毫欧 @ 80A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP100N06S205AKSA1
  仓库库存编号：IPP100N06S205AKSA1-ND
  别名：IPP100N06S2-05
  IPP100N06S2-05-ND
  SP000218872
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5 毫欧 @ 80A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S2LH5AKSA1
  仓库库存编号：IPP80N06S2LH5AKSA1-ND
  别名：IPP80N06S2L-H5
  IPP80N06S2L-H5-ND
  SP000219067
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5 毫欧 @ 80A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP100N06S205AKSA2
  仓库库存编号：IPP100N06S205AKSA2-ND
  别名：SP001067938
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5 毫欧 @ 80A，10V,
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