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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），90A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB045AN08A0
  仓库库存编号：FDB045AN08A0CT-ND
  别名：FDB045AN08A0CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.5 毫欧 @ 80A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB045AN08A0_F085
  仓库库存编号：FDB045AN08A0_F085CT-ND
  别名：FDB045AN08A0_F085CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.5 毫欧 @ 80A，10V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET NCH 80V 80A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 214W（Tj） Power56
  
  型号：FDWS86368_F085
  仓库库存编号：FDWS86368_F085CT-ND
  别名：FDWS86368_F085CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.5 毫欧 @ 80A，10V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 214W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS86368_F085
  仓库库存编号：FDMS86368_F085CT-ND
  别名：FDMS86368_F085CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.5 毫欧 @ 80A，10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 115W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N04S3H4ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N04S3H4ATMA1TR-ND
  别名：IPB80N04S3-H4
  IPB80N04S3-H4-ND
  SP000415564
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.5 毫欧 @ 80A，10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2L-05
  仓库库存编号：SPB80N06S2L-05-ND
  别名：SP000016352
  SPB80N06S2L05T
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.5 毫欧 @ 80A，10V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S2L05ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N06S2L05ATMA1TR-ND
  别名：IPB80N06S2L-05
  IPB80N06S2L-05-ND
  SP000219004
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.5 毫欧 @ 80A，10V,
• 无铅
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