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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB015N04L G
仓库库存编号:
IPB015N04L GCT-ND
别名:IPB015N04L GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.5 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP015N04NGXKSA1
仓库库存编号:
IPP015N04NGXKSA1-ND
别名:IPP015N04N G
IPP015N04N G-ND
IPP015N04NG
SP000680760
品牌:Infineon Technologies,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.5 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB015N04N G
仓库库存编号:
IPB015N04N GCT-ND
别名:IPB015N04N GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.5 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB120N04S401ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N04S401ATMA1CT-ND
别名:IPB120N04S401ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.5 毫欧 @ 100A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 375W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB015N08N5ATMA1
仓库库存编号:
IPB015N08N5ATMA1CT-ND
别名:IPB015N08N5ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.5 毫欧 @ 100A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB160N04S4LH1ATMA1
仓库库存编号:
IPB160N04S4LH1ATMA1-ND
别名:SP000979640
品牌:Infineon Technologies,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.5 毫欧 @ 100A,10V,
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