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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 250W（Tc） TO-220-3
  
  型号：CSD18532KCS
  仓库库存编号：296-34941-5-ND
  别名：296-34941-5
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.2 毫欧 @ 100A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 140A（Tc） 161W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB140N08S404ATMA1
  仓库库存编号：IPB140N08S404ATMA1-ND
  别名：SP000989102
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.2 毫欧 @ 100A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP04CN10NG
  仓库库存编号：IPP04CN10NGIN-ND
  别名：IPP04CN10N G
  IPP04CN10NGIN
  IPP04CN10NGXK
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.2 毫欧 @ 100A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI04CN10N G
  仓库库存编号：IPI04CN10N G-ND
  别名：SP000398084
  SP000680660
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.2 毫欧 @ 100A，10V,
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