规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.8 毫欧 @ 25A,10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(10)
分立半导体产品
(10)
筛选品牌
Diodes Incorporated (1)
Nexperia USA Inc. (5)
NXP USA Inc. (3)
Renesas Electronics America (1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 270W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN1R8-30PL,127
仓库库存编号:
1727-4388-ND
别名:1727-4388
568-5234
568-5234-5
568-5234-5-ND
568-5234-ND
934064002127
PSMN1R830PL127
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.8 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 349W(Tc) I2PAK
型号:
BUK7E1R8-40E,127
仓库库存编号:
1727-7241-ND
别名:1727-7241
568-9849-5
568-9849-5-ND
934066512127
BUK7E1R840E127
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.8 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 272W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN1R8-40YLC,115
仓库库存编号:
1727-1052-1-ND
别名:1727-1052-1
568-10156-1
568-10156-1-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.8 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 270W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN1R8-30BL,118
仓库库存编号:
1727-7112-1-ND
别名:1727-7112-1
568-9482-1
568-9482-1-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.8 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Ta) 2.3W PowerDI5060-8
型号:
DMT4002LPS-13
仓库库存编号:
DMT4002LPS-13-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.8 毫欧 @ 25A,10V,
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 65A WPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 65A(Ta) 65W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
RJK0346DPA-01#J0B
仓库库存编号:
RJK0346DPA-01#J0B-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.8 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 333W(Tc) D2PAK
型号:
BUK761R8-30C,118
仓库库存编号:
568-5854-1-ND
别名:568-5854-1
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.8 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK751R8-40E,127
仓库库存编号:
1727-7234-ND
别名:1727-7234
568-9838-5
568-9838-5-ND
934066479127
BUK751R840E127
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.8 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 120A(Tc) 293W(Tc) D2PAK
型号:
BUK962R1-40E,118
仓库库存编号:
568-10249-1-ND
别名:568-10249-1
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.8 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 100A(Tc) 104W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH1825AL,115
仓库库存编号:
PH1825AL,115-ND
别名:934063226115
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.8 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号