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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB025N08N3 G
  仓库库存编号：IPB025N08N3 GCT-ND
  别名：IPB025N08N3 GCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.5 毫欧 @ 100A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB025N10N3 G
  仓库库存编号：IPB025N10N3 GCT-ND
  别名：IPB025N10N3 GCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.5 毫欧 @ 100A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB180N10S402ATMA1
  仓库库存编号：IPB180N10S402ATMA1CT-ND
  别名：IPB180N10S402ATMA1CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.5 毫欧 @ 100A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 40V 120A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 143W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB7440PBF
  仓库库存编号：IRFB7440PBF-ND
  别名：SP001566700
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.5 毫欧 @ 100A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 208W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：IRFS7440TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS7440TRLPBFCT-ND
  别名：IRFS7440TRLPBFCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.5 毫欧 @ 100A，10V,
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• IXYS
  MOSFET 6N-CH 40V 180A 17-SMD
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 40V 180A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
  
  型号：GWM180-004X2-SL
  仓库库存编号：GWM180-004X2-SL-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.5 毫欧 @ 100A，10V,
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• IXYS
  MOSFET 6N-CH 40V 180A 17-SMD
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 40V 180A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
  
  型号：GWM180-004X2-SLSAM
  仓库库存编号：GWM180-004X2-SLSAM-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.5 毫欧 @ 100A，10V,
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• IXYS
  MOSFET 6N-CH 40V 180A 17-SMD
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 40V 180A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
  
  型号：GWM180-004X2-SMD
  仓库库存编号：GWM180-004X2-SMD-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.5 毫欧 @ 100A，10V,
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• IXYS
  MOSFET 6N-CH 40V 180A 17-SMD
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 40V 180A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
  
  型号：GWM180-004X2-SMDSAM
  仓库库存编号：GWM180-004X2-SMDSAM-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.5 毫欧 @ 100A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 40V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 208W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB7440GPBF
  仓库库存编号：IRFB7440GPBF-ND
  别名：SP001577780
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.5 毫欧 @ 100A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 40V 120A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 208W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL7440PBF
  仓库库存编号：IRFSL7440PBF-ND
  别名：SP001573650
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.5 毫欧 @ 100A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 163W（Tc） TO-220AB
  
  型号：AUIRFB8405
  仓库库存编号：IRAUIRFB8405-ND
  别名：IRAUIRFB8405
  SP001516720
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.5 毫欧 @ 100A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 120A（Tc） 278W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB120N08S403ATMA1
  仓库库存编号：IPB120N08S403ATMA1-ND
  别名：SP000989104
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.5 毫欧 @ 100A，10V,
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