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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
FET 类型
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
功率耗散(最大值)
漏源电压(Vdss)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)(2)
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63(8)
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB(2)
TO-220-3(4)
8-PowerVDFN(1)
TO-220-3 整包(1)
8-PowerSMD,扁平引线(1)
8-PowerWDFN(1)
SC-100,SOT-669(1)
8-PowerTDFN(3)
PowerPAK? SO-8(4)
3-PowerSMD,引线(2)
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Diodes Incorporated(6)
Nexperia USA Inc.(1)
Toshiba Semiconductor and Storage(1)
Vishay Siliconix(7)
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(7)
Microchip Technology(1)
Infineon Technologies(1)
Taiwan Semiconductor Corporation(6)
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表面贴装(25)
通孔(5)
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-55°C ~ 150°C(TJ)(11)
-55°C ~ 175°C(TJ)(11)
150°C(TJ)(7)
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-(17)
汽车级,AEC-Q101(5)
TrenchFET?(7)
OptiMOS??(1)
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剪切带(CT) (18)
带卷(TR) (5)
管件 (5)
-Reel? (2)
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8-SO(1)
TO-220AB(3)
TO-220(1)
8-SOIC(1)
TO-252,(D-Pak)(8)
PowerDI3333-8(1)
LFPAK56,Power-SO8(1)
8-DFN(5x6)(1)
PowerDI5060-8(1)
PowerPAK? SO-8(4)
8-SOP Advance(5x5)(1)
TO-263(D2Pak)(2)
PG-TSDSON-8-FL(1)
TO-220-3F(1)
8-PDFN(3x3)(1)
UltraSO-8?(2)
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MOSFET(金属氧化物)(30)
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±20V(27)
±10V(1)
+10V,-8V(1)
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45nC @ 10V(1)
14nC @ 4.5V(1)
40nC @ 10V(1)
23nC @ 10V(1)
65nC @ 10V(1)
42nC @ 10V(1)
63nC @ 10V(3)
120nC @ 10V(1)
102nC @ 10V(1)
32nC @ 4.5V(1)
84nC @ 10V(1)
109nC @ 10V(1)
30nC @ 4.5V(1)
9.1nC @ 10V(1)
11.1nC @ 4.5V(6)
41.9nC @ 10V(1)
41.3nC @ 10V(1)
22.6nC @ 10V(1)
47.1nC @ 10V(3)
23.5nC @ 10V(1)
16.4nC @ 5V(1)
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6 毫欧 @ 20A,10V(30)
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10V(3)
5V,10V(1)
4.5V,10V(21)
4V,10V(1)
6V,10V(3)
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N 沟道(29)
P 沟道(1)
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60A(Tc)(3)
35A(Tc)(2)
90A(Tc)(1)
50A(Tc)(1)
100A(Tc)(2)
13.5A(Ta)(1)
20A(Ta)(1)
70A(Tc)(6)
12A(Ta),40A(Tc)(1)
85A(Tc)(1)
79A(Tc)(1)
40A(Ta)(1)
17.6A(Ta),76A(Tc)(1)
15A(Ta),80A(Tc)(1)
16A(Ta),65A(Tc)(1)
13.5A(Ta), 56A(Tc)(1)
24A(Ta),85A(Tc)(1)
13A(Ta),70A(Tc)(1)
15A(Ta),85A(Tc)(1)
12A(Ta),178A(Tc)(1)
16A(Ta),54A(Tc)(1)
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1210pF @ 25V(3)
1700pF @ 15V(1)
3100pF @ 25V(1)
4500pF @ 25V(1)
4600pF @ 10V(1)
1160pF @ 25V(3)
4700pF @ 30V(1)
1600pF @ 15V(2)
1670pF @ 15V(1)
2082pF @ 25V(1)
2090pF @ 30V(1)
1320pF @ 15V(1)
890pF @ 12.5V(1)
2962pF @ 30V(3)
670pF @ 12V(1)
3142pF @ 40V(2)
1470pF @ 18V(1)
2550pF @ 10V(1)
2840pF @ 50V(1)
2403pF @ 25V(1)
1750pF @ 30V(1)
3830pF @ 50V(1)
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-(30)
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4V @ 250μA(1)
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2V @ 250μA(2)
2.5V @ 250μA(8)
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3V @ 250μA(7)
4.5V @ 250μA(1)
2.2V @ 250μA(1)
2.1V @ 1mA(1)
2.6V @ 250μA(1)
2.3V @ 250μA(2)
3.3V @ 250μA(2)
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1.7V @ 250μA(1)
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1.3W(Ta)(1)
3.1W(Ta)(1)
4.2W(Ta),36W(Tc)(1)
1.8W(Ta)(1)
2.7W(Ta),62W(Tc)(1)
6.25W(Ta),104W(Tc)(1)
3.75W(Ta),272W(Tc)(1)
54W(Tc)(6)
95W(Tc)(1)
1.6W(Ta),45W(Tc)(1)
2.1W(Ta),26W(Tc)(1)
2.2W(Ta), 62.5W(Tc)(1)
1.3W(Ta), 42W(Tc)(1)
2.1W(Ta),167W(Tc)(1)
2.8W(Ta),125W(Tc)(1)
2.2W(Ta),37.5W(Tc)(1)
4.2W(Ta)(1)
6.8W(Ta),65W(Tc)(1)
7.3W(Ta),156W(Tc)(1)
2.3W(Ta), 104W(Tc)(1)
2.1W(Ta),417W(Tc)(1)
3.75W(Ta),100W(Tc)(1)
2.08W(Ta),100W(Tc)(1)
5W(Ta),27.7W(Tc)(1)
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 3.75W(Ta),272W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP90N06-6M0P-E3
仓库库存编号:
SUP90N06-6M0P-E3-ND
别名:SUP90N06-6M0P-E3CT
SUP90N06-6M0P-E3CT-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 70A(Tc) 54W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM060N03CP ROG
仓库库存编号:
TSM060N03CP ROGTR-ND
别名:TSM060N03CP ROGTR
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 70A(Tc) 54W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM060N03CP ROG
仓库库存编号:
TSM060N03CP ROGCT-ND
别名:TSM060N03CP ROGCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 70A(Tc) 54W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM060N03CP ROG
仓库库存编号:
TSM060N03CP ROGDKR-ND
别名:TSM060N03CP ROGDKR
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CHA 40V 17.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 17.6A(Ta),76A(Tc) 3.1W(Ta) TO-252,(D-Pak)
型号:
DMTH4007SK3-13
仓库库存编号:
DMTH4007SK3-13DICT-ND
别名:DMTH4007SK3-13DICT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 15A(Ta),80A(Tc) 2.2W(Ta), 62.5W(Tc) PowerDI3333-8
型号:
DMT6007LFG-7
仓库库存编号:
DMT6007LFG-7DICT-ND
别名:DMT6007LFG-7DICT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 25V 8PDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 1.8W(Ta) 8-PDFN(3x3)
型号:
MCP87055T-U/LC
仓库库存编号:
MCP87055T-U/LCCT-ND
别名:MCP87055T-U/LCCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta),65A(Tc) 1.3W(Ta), 42W(Tc) PowerDI5060-8
型号:
DMT3006LPS-13
仓库库存编号:
DMT3006LPS-13DICT-ND
别名:DMT3006LPS-13DICT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.5A(Ta) 1.3W(Ta) 8-SO
型号:
DMT6005LSS-13
仓库库存编号:
DMT6005LSS-13DICT-ND
别名:DMT6005LSS-13DICT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 20A,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 4.2W(Ta),36W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR402DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR402DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR402DP-T1-GE3CT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 12A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),26W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ060NE2LS
仓库库存编号:
BSZ060NE2LSCT-ND
别名:BSZ060NE2LSCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 20A,10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET NCH 80V 56A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 13.5A(Ta), 56A(Tc) 2.2W(Ta),37.5W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF286L
仓库库存编号:
785-1727-5-ND
别名:785-1727-5
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 36V 20A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 4.2W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4314
仓库库存编号:
785-1548-1-ND
别名:785-1548-1
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 50A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 6.8W(Ta),65W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N02-06P-E3
仓库库存编号:
SUD50N02-06P-E3CT-ND
别名:SUD50N02-06P-E3CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR870DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR870DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR870DP-T1-GE3CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 20A,10V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 54W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM060N03ECP ROG
仓库库存编号:
TSM060N03ECP ROGTR-ND
别名:TSM060N03ECP ROGTR
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 54W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM060N03ECP ROG
仓库库存编号:
TSM060N03ECP ROGCT-ND
别名:TSM060N03ECP ROGCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 20A,10V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 54W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM060N03ECP ROG
仓库库存编号:
TSM060N03ECP ROGDKR-ND
别名:TSM060N03ECP ROGDKR
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 79A(Tc) 95W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y7R6-40E,115
仓库库存编号:
1727-1126-1-ND
别名:1727-1126-1
568-10281-1
568-10281-1-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 20A,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR664DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR664DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR664DP-T1-GE3CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 20A,10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 80V 13A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 80V 13A(Ta),70A(Tc) 2.1W(Ta),167W(Tc) TO-220
型号:
AOT286L
仓库库存编号:
AOT286L-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 20A,10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 24A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 24A(Ta),85A(Tc) 7.3W(Ta),156W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6292
仓库库存编号:
AON6292-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 20A,10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 100A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 2.8W(Ta),125W(Tc) TO-220AB
型号:
DMTH6005LCT
仓库库存编号:
DMTH6005LCT-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 20A,10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 100A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 2.3W(Ta), 104W(Tc) TO-220AB
型号:
DMT6005LCT
仓库库存编号:
DMT6005LCT-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 20A,10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 85A 8ULTRASO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta),85A(Tc) 2.08W(Ta),100W(Tc) UltraSO-8?
型号:
AOL1418
仓库库存编号:
785-1121-1-ND
别名:785-1121-1
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 20A,10V,
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