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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 310W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP047AN08A0
  仓库库存编号：FDP047AN08A0FS-ND
  别名：FDP047AN08A0-ND
  FDP047AN08A0FS
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.7 毫欧 @ 80A，10V,
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  无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 164A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 164A（Tc） 268W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP047N08
  仓库库存编号：FDP047N08-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.7 毫欧 @ 80A，10V,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB100N06S205ATMA4
  仓库库存编号：IPB100N06S205ATMA4CT-ND
  别名：IPB100N06S205ATMA4CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.7 毫欧 @ 80A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 80A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 310W（Tc） TO-247
  
  型号：FDH047AN08A0
  仓库库存编号：FDH047AN08A0FS-ND
  别名：FDH047AN08A0-ND
  FDH047AN08A0FS
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.7 毫欧 @ 80A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH TO220-3
  详细描述：通孔 P 沟道 40V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80P04P4L04AKSA1
  仓库库存编号：IPP80P04P4L04AKSA1-ND
  别名：SP000840200
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.7 毫欧 @ 80A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 80A（Tc） 137W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80P03P405ATMA1
  仓库库存编号：IPB80P03P405ATMA1TR-ND
  别名：IPB80P03P4-05
  IPB80P03P4-05-ND
  SP000396282
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.7 毫欧 @ 80A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH TO262-3
  详细描述：通孔 P 沟道 40V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI80P04P4L04AKSA1
  仓库库存编号：IPI80P04P4L04AKSA1-ND
  别名：SP000840198
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.7 毫欧 @ 80A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S2LH5ATMA4
  仓库库存编号：IPB80N06S2LH5ATMA4-ND
  别名：SP001058126
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.7 毫欧 @ 80A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP100N06S2L05AKSA2
  仓库库存编号：IPP100N06S2L05AKSA2-ND
  别名：SP001067950
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.7 毫欧 @ 80A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 310W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FDI047AN08A0
  仓库库存编号：FDI047AN08A0-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.7 毫欧 @ 80A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 26A TO-262AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 26A（Ta），80A（Tc） 300W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FDI8441_F085
  仓库库存编号：FDI8441_F085-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.7 毫欧 @ 80A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB100N06S2-05
  仓库库存编号：SPB100N06S2-05-ND
  别名：SP000013713
  SPB100N06S205T
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.7 毫欧 @ 80A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP100N06S2L-05
  仓库库存编号：SPP100N06S2L-05-ND
  别名：SP000013721
  SPP100N06S2L05
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.7 毫欧 @ 80A，10V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB100N06S205ATMA1
  仓库库存编号：IPB100N06S205ATMA1TR-ND
  别名：IPB100N06S2-05
  IPB100N06S2-05-ND
  SP000218874
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.7 毫欧 @ 80A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S2L-H5
  仓库库存编号：IPB80N06S2L-H5-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.7 毫欧 @ 80A，10V,
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  MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP100N06S2L05AKSA1
  仓库库存编号：IPP100N06S2L05AKSA1-ND
  别名：IPP100N06S2L-05
  IPP100N06S2L-05-ND
  SP000218879
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.7 毫欧 @ 80A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 115W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB049N06L3GATMA1
  仓库库存编号：IPB049N06L3GATMA1CT-ND
  别名：IPB049N06L3 GCT
  IPB049N06L3 GCT-ND
  IPB049N06L3G
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.7 毫欧 @ 80A，10V,
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