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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Ta），80A（Tc） 310W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP038AN06A0
  仓库库存编号：FDP038AN06A0-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.8 毫欧 @ 80A，10V,
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  无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 94W（Tj） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FDI9409_F085
  仓库库存编号：FDI9409_F085-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.8 毫欧 @ 80A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Ta），80A（Tc） 310W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FDI038AN06A0
  仓库库存编号：FDI038AN06A0-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.8 毫欧 @ 80A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 80A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Ta），80A（Tc） 450W（Tc） TO-247
  
  型号：FDH038AN08A1
  仓库库存编号：FDH038AN08A1-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.8 毫欧 @ 80A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 100A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI100N06S3L04XK
  仓库库存编号：IPI100N06S3L04XK-ND
  别名：IPI100N06S3L-04
  IPI100N06S3L-04-ND
  IPI100N06S3L-04IN
  IPI100N06S3L-04IN-ND
  IPI100N06S3L04X
  SP000102211
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.8 毫欧 @ 80A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  60V 80A 3.8 OHMS NCH POWER TRENC
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 310W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP038AN06A0_F102
  仓库库存编号：FDP038AN06A0_F102-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.8 毫欧 @ 80A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N04S304ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N04S304ATMA1CT-ND
  别名：IPB80N04S3-04CT
  IPB80N04S3-04CT-ND
  IPB80N04S304
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.8 毫欧 @ 80A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP100N06S3L-04
  仓库库存编号：IPP100N06S3L-04IN-ND
  别名：IPP100N06S3L-04-ND
  IPP100N06S3L-04IN
  IPP100N06S3L04X
  IPP100N06S3L04XK
  SP000102209
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.8 毫欧 @ 80A，10V,
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