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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 340A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 340A（Tc） 935W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH340N075T2
  仓库库存编号：IXFH340N075T2-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.2 毫欧 @ 100A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP032N06N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP032N06N3GXKSA1-ND
  别名：IPP032N06N3 G
  IPP032N06N3 G-ND
  IPP032N06N3G
  SP000680770
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.2 毫欧 @ 100A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI032N06N3GAKSA1
  仓库库存编号：IPI032N06N3GAKSA1-ND
  别名：SP000680650
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.2 毫欧 @ 100A，10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 340A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 340A（Tc） 935W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT340N075T2
  仓库库存编号：IXFT340N075T2-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.2 毫欧 @ 100A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB029N06N3GE8187ATMA1
  仓库库存编号：IPB029N06N3GE8187ATMA1TR-ND
  别名：IPB029N06N3 G E8187
  IPB029N06N3 G E8187-ND
  SP000939334
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.2 毫欧 @ 100A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB120N06S403ATMA2
  仓库库存编号：IPB120N06S403ATMA2-ND
  别名：SP001028770
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.2 毫欧 @ 100A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 160A（Tc） 208W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB160N08S403ATMA1
  仓库库存编号：IPB160N08S403ATMA1-ND
  别名：SP000989092
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.2 毫欧 @ 100A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI032N06N3 G
  仓库库存编号：IPI032N06N3 G-ND
  别名：SP000451490
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.2 毫欧 @ 100A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI120N06S403AKSA1
  仓库库存编号：IPI120N06S403AKSA1-ND
  别名：IPI120N06S4-03
  IPI120N06S4-03-ND
  SP000396308
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.2 毫欧 @ 100A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP120N06S403AKSA1
  仓库库存编号：IPP120N06S403AKSA1-ND
  别名：IPP120N06S4-03
  IPP120N06S4-03-ND
  SP000396380
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.2 毫欧 @ 100A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A PG-TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP120N06S403AKSA2
  仓库库存编号：IPP120N06S403AKSA2-ND
  别名：SP001028768
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.2 毫欧 @ 100A，10V,
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