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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 185mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：TP0610K-T1-E3
  仓库库存编号：TP0610K-T1-E3CT-ND
  别名：TP0610K-T1-E3CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 欧姆 @ 500mA，10V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 240V 360MA SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 360mA（Tj） 1.6W（Tc） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：TN2524N8-G
  仓库库存编号：TN2524N8-GCT-ND
  别名：TN2524N8-GCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 欧姆 @ 500mA，10V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 185MA TO-236
  详细描述：表面贴装 P 沟道 185mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：TP0610K-T1-GE3
  仓库库存编号：TP0610K-T1-GE3CT-ND
  别名：TP0610K-T1-GE3CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 欧姆 @ 500mA，10V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 190mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN2406L-G
  仓库库存编号：VN2406L-G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 欧姆 @ 500mA，10V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 250mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TN0620N3-G
  仓库库存编号：TN0620N3-G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 欧姆 @ 500mA，10V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 120V 0.23A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 230mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN1206L-G
  仓库库存编号：VN1206L-G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 欧姆 @ 500mA，10V,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 40V 0.16A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 160mA（Tj） 360mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：TP2104K1-G
  仓库库存编号：TP2104K1-GCT-ND
  别名：TP2104K1-GCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 欧姆 @ 500mA，10V,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 40V 0.175A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 175mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：TP2104N3-G
  仓库库存编号：TP2104N3-G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 欧姆 @ 500mA，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 800mA（Tc） 11W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：SPU01N60C3
  仓库库存编号：SPU01N60C3IN-ND
  别名：SP000012110
  SPU01N60C3-ND
  SPU01N60C3BKMA1
  SPU01N60C3IN
  SPU01N60C3X
  SPU01N60C3XK
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 欧姆 @ 500mA，10V,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 280W（Tc） TO-263
  
  型号：IXTA4N150HV
  仓库库存编号：IXTA4N150HV-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 欧姆 @ 500mA，10V,
• 不受无铅要求限制
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 280W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT4N150HV
  仓库库存编号：IXTT4N150HV-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 欧姆 @ 500mA，10V,
• 不受无铅要求限制
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 40V 0.175A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 175mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：TP2104N3-G-P003
  仓库库存编号：TP2104N3-G-P003-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 欧姆 @ 500mA，10V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 250mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TN0620N3-G-P002
  仓库库存编号：TN0620N3-G-P002-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 欧姆 @ 500mA，10V,
• 无铅
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 250mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TN0620N3-G-P014
  仓库库存编号：TN0620N3-G-P014-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 欧姆 @ 500mA，10V,
• 无铅
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• Microchip Technology
  MOSFET 2N-CH 240V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 240V Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：TD9944TG-G
  仓库库存编号：TD9944TG-G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 欧姆 @ 500mA，10V,
• 无铅
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 120V 0.23A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 230mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN1206L-G-P002
  仓库库存编号：VN1206L-G-P002-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 欧姆 @ 500mA，10V,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 240V 700MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 700mA（Tc） 1.5W（Ta） SOT-223
  
  型号：MMFT2406T1
  仓库库存编号：MMFT2406T1OSDKR-ND
  别名：MMFT2406T1OSDKR
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 欧姆 @ 500mA，10V,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-18RM
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 270mA（Ta） 800mW（Ta） TO-92-18RM
  
  型号：BS250KL-TR1-E3
  仓库库存编号：BS250KL-TR1-E3CT-ND
  别名：BS250KL-T1-E3CT
  BS250KL-T1-E3CT-ND
  BS250KL-TR1-E3CT
  BS250KLTR1E3
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 欧姆 @ 500mA，10V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 270mA（Ta） 800mW（Ta） TO-226AA
  
  型号：TP0610KL-TR1-E3
  仓库库存编号：TP0610KL-TR1-E3CT-ND
  别名：TP0610KL-TR1-E3CT
  TP0610KLTR1E3
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 欧姆 @ 500mA，10V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 185mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：TP0610K-T1
  仓库库存编号：TP0610K-T1-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 欧姆 @ 500mA，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 0.3A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 300mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：SPN01N60C3
  仓库库存编号：SPN01N60C3-ND
  别名：SP000012411
  SPN01N60C3T
  SPN01N60C3XT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 欧姆 @ 500mA，10V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 800mA（Tc） 11W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD01N60C3BTMA1
  仓库库存编号：SPD01N60C3BTMA1CT-ND
  别名：SPD01N60C3INCT
  SPD01N60C3INCT-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 欧姆 @ 500mA，10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 800mA（Tc） 11W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：SPS01N60C3
  仓库库存编号：SPS01N60C3-ND
  别名：SP000235876
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 欧姆 @ 500mA，10V,
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