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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Ta） 680mW（Ta） SC-59
  
  型号：DMN1019USN-13
  仓库库存编号：DMN1019USN-13DICT-ND
  别名：DMN1019USN-13DICT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 9.7A，4.5V,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 690mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
  
  型号：DMN1019UFDE-7
  仓库库存编号：DMN1019UFDE-7DICT-ND
  别名：DMN1019UFDE-7DICT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 9.7A，4.5V,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Ta） 680mW（Ta） SC-59
  
  型号：DMN1019USN-7
  仓库库存编号：DMN1019USN-7DICT-ND
  别名：DMN1019USN-7DICT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 9.7A，4.5V,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.7A（Ta） 1.73W（Ta） TSOT-26
  
  型号：DMN1019UVT-7
  仓库库存编号：DMN1019UVT-7DICT-ND
  别名：DMN1019UVT-7DICT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 9.7A，4.5V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 9.7A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 9.7A（Ta） 1.3W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：FDW264P
  仓库库存编号：FDW264P-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 9.7A，4.5V,
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