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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 86A(Tc) 75W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8726TRPBF
仓库库存编号:
IRLR8726TRPBFCT-ND
别名:IRLR8726TRPBFCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.8 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tj) 300W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9606-55A,118
仓库库存编号:
1727-7188-1-ND
别名:1727-7188-1
568-9674-1
568-9674-1-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.8 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A 8TDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 42W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
IPC50N04S55R8ATMA1
仓库库存编号:
IPC50N04S55R8ATMA1CT-ND
别名:IPC50N04S55R8ATMA1CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.8 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) I2PAK
型号:
BUK9E06-55A,127
仓库库存编号:
1727-7229-ND
别名:1727-7229
568-9751-5
568-9751-5-ND
934056832127
BUK9E06-55A,127-ND
BUK9E0655A127
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.8 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN005-55B,118
仓库库存编号:
PSMN005-55B,118-ND
别名:934055637118
PSMN005-55B /T3
PSMN005-55B /T3-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.8 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK9506-55A,127
仓库库存编号:
BUK9506-55A,127-ND
别名:934055408127
BUK9506-55A
BUK9506-55A-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.8 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 75A(Tc) 125W(Tc) DPAK
型号:
PSMN005-25D,118
仓库库存编号:
PSMN005-25D,118-ND
别名:934055816118
PSMN005-25D /T3
PSMN005-25D /T3-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.8 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN005-55P,127
仓库库存编号:
PSMN005-55P,127-ND
别名:934055638127
PSMN005-55P
PSMN005-55P-ND
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无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 86A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 86A(Tc) 75W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU8726PBF
仓库库存编号:
IRLU8726PBF-ND
别名:SP001573088
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.8 毫欧 @ 25A,10V,
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