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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.9A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.9A(Ta) 770mW(Ta),33W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4C05NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4C05NT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4C05NT1GOSCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.4 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP60030E-GE3
仓库库存编号:
SUP60030E-GE3-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.4 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),57W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC034N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC034N03LSGATMA1TR-ND
别名:BSC034N03LS G
BSC034N03LS G-ND
SP000475948
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.4 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 78A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.9A(Ta),78A(Tc) 770mW(Ta) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4C55NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4C55NT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4C55NT1GOSCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.4 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP034N03LGXKSA1
仓库库存编号:
IPP034N03LGXKSA1-ND
别名:IPP034N03L G
IPP034N03LGIN
IPP034N03LGIN-ND
IPP034N03LGXK
SP000680772
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.4 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB034N03L G
仓库库存编号:
IPB034N03LGINCT-ND
别名:IPB034N03LGINCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.4 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 65A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 17.5A(Ta),65A(Tc) 1.63W(Ta),22.73W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4985NFT3G
仓库库存编号:
NTMFS4985NFT3G-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.4 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 21.7A(Ta),78A(Tc) 2.57W(Ta),33W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4C05NAT1G
仓库库存编号:
NTMFS4C05NAT1G-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.4 毫欧 @ 30A,10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 24.7A(Ta),116A(Tc) 3.61W(Ta),79W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS4C05NT3G
仓库库存编号:
NVMFS4C05NT3G-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.4 毫欧 @ 30A,10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V SO-8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 12.7A(Ta),100A(Tc) 890mW(Ta),55.5W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4946NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4946NT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4946NT1GOSCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.4 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 24.7A(Ta),116A(Tc) 3.61W(Ta),79W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS4C05NT1G
仓库库存编号:
NVMFS4C05NT1G-ND
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 24.7A(Ta),116A(Tc) 3.61W(Ta),79W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS4C05NWFT3G
仓库库存编号:
NVMFS4C05NWFT3G-ND
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 24.7A(Ta),116A(Tc) 3.61W(Ta),79W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS4C05NWFT1G
仓库库存编号:
NVMFS4C05NWFT1G-ND
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 65A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 17.5A(Ta),65A(Tc) 1.63W(Ta),22.73W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4985NFT1G
仓库库存编号:
NTMFS4985NFT1G-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.4 毫欧 @ 30A,10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 65A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 17.5A(Ta),65A(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4965NFT3G
仓库库存编号:
NTMFS4965NFT3G-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.4 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 65A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 17.5A(Ta),65A(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4965NFT1G
仓库库存编号:
NTMFS4965NFT1G-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.4 毫欧 @ 30A,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 110A(Tc) 3.75W(Ta),375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM110N06-3M4L-E3
仓库库存编号:
SUM110N06-3M4L-E3CT-ND
别名:SUM110N06-3M4L-E3-ND
SUM110N06-3M4L-E3CT
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12.7A SO-8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12.7A(Ta),100A(Tc) 890mW(Ta),55.5W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4846NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4846NT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4846NT1GOSCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.4 毫欧 @ 30A,10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.9A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11.9A(Ta),78A(Tc) 770mW(Ta) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4C05NT1G-001
仓库库存编号:
NTMFS4C05NT1G-001-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.4 毫欧 @ 30A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 40A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 40A(Tc) 2.7W(Ta),29W(Tc) 8-PQFN(3x3)
型号:
IRFHM4231TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM4231TRPBFCT-ND
别名:IRFHM4231TRPBFCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.4 毫欧 @ 30A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP034N03LGHKSA1
仓库库存编号:
IPP034N03LGHKSA1-ND
别名:SP000237660
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.4 毫欧 @ 30A,10V,
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