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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 86A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3709ZTRPBF
仓库库存编号:
IRFR3709ZPBFCT-ND
别名:*IRFR3709ZTRPBF
IRFR3709ZPBFCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6.5 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 20A, 60A 27W, 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual Asymmetric
型号:
SQJ202EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ202EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ202EP-T1_GE3CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6.5 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 15A
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),99A(Tc) 3.2W(Ta),156W(Tc) 8-Dual Cool?88
型号:
FDMT800150DC
仓库库存编号:
FDMT800150DCCT-ND
别名:FDMT800150DCCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6.5 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V MLFP
详细描述:表面贴装 N 沟道 65A(Tc) 51W(Tc) LFPAK33
型号:
PSMN6R5-30MLDX
仓库库存编号:
1727-2220-1-ND
别名:1727-2220-1
568-12474-1
568-12474-1-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6.5 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 30A WPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta) 30W(Tc) 8-WPAK
型号:
RJK03M5DPA-00#J5A
仓库库存编号:
RJK03M5DPA-00#J5A-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6.5 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 22.4A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 22.4A(Tc) 3W(Ta),5.9W(Tc) 8-SO
型号:
SI4638DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4638DY-T1-E3-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6.5 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 100A(Tc) 2.5W(Ta),120W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3711TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3711PBFTR-ND
别名:IRFR3711PBFTR
IRFR3711TRPBF-ND
IRFR3711TRPBFTR-ND
SP001557028
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6.5 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 100A(Tc) 2.5W(Ta),120W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3711TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR3711TRLPBF-ND
别名:SP001578136
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6.5 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 20V 100A(Tc) 2.5W(Ta),120W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3711
仓库库存编号:
IRFU3711-ND
别名:*IRFU3711
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6.5 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 100A(Tc) 2.5W(Ta),120W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3711
仓库库存编号:
IRFR3711-ND
别名:*IRFR3711
SP001555100
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6.5 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 100A(Tc) 2.5W(Ta),120W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3711TR
仓库库存编号:
IRFR3711TR-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6.5 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 100A(Tc) 2.5W(Ta),120W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3711TRL
仓库库存编号:
IRFR3711TRL-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6.5 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 100A(Tc) 2.5W(Ta),120W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3711TRR
仓库库存编号:
IRFR3711TRR-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6.5 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 86A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3709Z
仓库库存编号:
IRFR3709Z-ND
别名:*IRFR3709Z
SP001555082
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6.5 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 86A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 86A(Tc) 79W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3709ZPBF
仓库库存编号:
IRFU3709ZPBF-ND
别名:*IRFU3709ZPBF
SP001552414
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6.5 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 20V 100A(Tc) 2.5W(Ta),120W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3711PBF
仓库库存编号:
IRFU3711PBF-ND
别名:*IRFU3711PBF
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6.5 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 100A(Tc) 2.5W(Ta),120W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3711PBF
仓库库存编号:
IRFR3711PBF-ND
别名:SP001552178
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6.5 毫欧 @ 15A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 100A(Tc) 2.5W(Ta),120W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3711TRRPBF
仓库库存编号:
IRFR3711TRRPBF-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6.5 毫欧 @ 15A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 86A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 86A(Tc) 79W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3709Z-701P
仓库库存编号:
IRFU3709Z-701P-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6.5 毫欧 @ 15A,10V,
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