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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD040N03LGATMA1
仓库库存编号：
IPD040N03LGATMA1CT-ND
别名：IPD040N03LGINCT
IPD040N03LGINCT-ND
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 30A，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10.2A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.2A（Ta），70A（Tc） 920mW（Ta），43W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4937NT1G
仓库库存编号：
NTMFS4937NT1GOSCT-ND
别名：NTMFS4937NT1GOSCT
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 30A，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 14.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 14.5A（Ta），124A（Tc） 1.43W（Ta），107W（Tc） DPAK
型号：
NTD4804NT4G
仓库库存编号：
NTD4804NT4GOSCT-ND
别名：NTD4804NT4GOSCT
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 30A，10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 80V 60A SOP ADV
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 1.6W（Ta），78W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH4R008NH,L1Q
仓库库存编号：
TPH4R008NHL1QCT-ND
别名：TPH4R008NHL1QCT
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 30A，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 120A TO-263
详细描述：表面贴装 P 沟道 120A（Tc） 375W（Tc）
型号：
SQM120P04-04L_GE3
仓库库存编号：
SQM120P04-04L_GE3CT-ND
别名：SQM120P04-04L_GE3CT
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 30A，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Ta），18A（Tc） 2.1W（Ta），37W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ0904NSI
仓库库存编号：
BSZ0904NSICT-ND
别名：BSZ0904NSICT
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 30A，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），69A（Tc） 770mW（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4C250NT1G
仓库库存编号：
NTMFS4C250NT1G-ND
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 30A，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），69A（Tc） 2.55W（Ta），30.5W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4C06NBT3G
仓库库存编号：
NTMFS4C06NBT3G-ND
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 30A，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），69A（Tc） 770mW（Ta），30.5W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4C06NT1G
仓库库存编号：
NTMFS4C06NT1GOSCT-ND
别名：NTMFS4C06NT1GOSCT
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 30A，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），69A（Tc） 2.55W（Ta），30.5W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4C06NBT1G
仓库库存编号：
NTMFS4C06NBT1G-ND
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 30A，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.2A（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4937NCT1G
仓库库存编号：
NTMFS4937NCT1G-ND
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 30A，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 70A SO-8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.2A（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4937NCT3G
仓库库存编号：
NTMFS4937NCT3G-ND
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 30A，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD040N03LGBTMA1
仓库库存编号：
IPD040N03LGBTMA1-ND
别名：SP000254715
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 30A，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS040N03LGBKMA1
仓库库存编号：
IPS040N03LGBKMA1-ND
别名：IPS040N03L G
IPS040N03LG
IPS040N03LGIN
IPS040N03LGIN-ND
SP000256159
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 30A，10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14.5A（Tc） D2PAK
型号：
STB16NF25
仓库库存编号：
STB16NF25-ND
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 30A，10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 14.5A（Ta），124A（Tc） 1.43W（Ta），107W（Tc） I-Pak
型号：
NTD4804N-1G
仓库库存编号：
NTD4804N-1G-ND
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 30A，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 14.5A（Ta），124A（Tc） 1.43W（Ta），107W（Tc） I-Pak
型号：
NTD4804N-35G
仓库库存编号：
NTD4804N-35GOS-ND
别名：NTD4804N-35G-ND
NTD4804N-35GOS
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 30A，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 14.5A（Ta），124A（Tc） 1.43W（Ta），93.75W（Tc） I-Pak
型号：
NTD4804NA-1G
仓库库存编号：
NTD4804NA-1G-ND
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 30A，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 14.5A（Ta），124A（Tc） 1.43W（Ta），93.75W（Tc） I-Pak
型号：
NTD4804NA-35G
仓库库存编号：
NTD4804NA-35G-ND
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 30A，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 14.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14.5A（Ta），124A（Tc） 1.43W（Ta），93.75W（Tc） DPAK
型号：
NTD4804NAT4G
仓库库存编号：
NTD4804NAT4G-ND
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 30A，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta），90A（Tc） 890mW（Ta），55.6W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4836NT1G
仓库库存编号：
NTMFS4836NT1GOSCT-ND
别名：NTMFS4836NT1GOSCT
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 30A，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 120A TO263
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM110P04-04L-GE3
仓库库存编号：
SQM110P04-04L-GE3-ND
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 30A，10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 110A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 30V 110A（Tc） 100W（Tc） TO-220
型号：
AOT424
仓库库存编号：
AOT424-ND
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 30A，10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta），69A（Tc） 770mW（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4C06NT1G-001
仓库库存编号：
NTMFS4C06NT1G-001-ND
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 30A，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS040N03LGAKMA1
仓库库存编号：
IPS040N03LGAKMA1-ND
别名：SP000810846
规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 30A，10V,
无铅
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