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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 1.47W(Ta) 8-SO
型号:
SI4384DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4384DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4384DY-T1-E3CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.5 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),34A(Tc) 3.1W(Ta) PQFN(5x6)单芯片焊盘
型号:
IRFH7921TRPBF
仓库库存编号:
IRFH7921TRPBFCT-ND
别名:IRFH7921TRPBFCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.5 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 82A(Tc) 130W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN8R2-80YS,115
仓库库存编号:
1727-4272-1-ND
别名:1727-4272-1
568-4904-1
568-4904-1-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.5 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 40V 30A 56LFPAK
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 30A 53W Surface Mount LFPAK56D
型号:
BUK7K8R7-40EX
仓库库存编号:
1727-1800-1-ND
别名:1727-1800-1
568-11414-1
568-11414-1-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.5 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 1.47W(Ta) 8-SO
型号:
SI4384DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4384DY-T1-GE3-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.5 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Tc) 3.1W(Ta),5.4W(Tc) 8-SO
型号:
SI4322DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4322DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4322DY-T1-E3CT
SI4322DYT1E3
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.5 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Tc) 3.1W(Ta),5.4W(Tc) 8-SO
型号:
SI4322DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4322DY-T1-GE3-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.5 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta) 3W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4446
仓库库存编号:
AO4446-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.5 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 77A(Tc) 88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3706S
仓库库存编号:
IRF3706S-ND
别名:*IRF3706S
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.5 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 77A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3706
仓库库存编号:
IRF3706-ND
别名:*IRF3706
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.5 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 77A(Tc) 88W(Tc) TO-262
型号:
IRF3706L
仓库库存编号:
IRF3706L-ND
别名:*IRF3706L
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.5 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 77A(Tc) 88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3706STRL
仓库库存编号:
IRF3706STRL-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.5 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 77A(Tc) 88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3706STRR
仓库库存编号:
IRF3706STRR-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.5 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 77A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3706PBF
仓库库存编号:
IRF3706PBF-ND
别名:*IRF3706PBF
SP001563152
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无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 77A(Tc) 88W(Tc) TO-262
型号:
IRF3706LPBF
仓库库存编号:
IRF3706LPBF-ND
别名:*IRF3706LPBF
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.5 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 77A(Tc) 88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3706SPBF
仓库库存编号:
IRF3706SPBF-ND
别名:*IRF3706SPBF
SP001561640
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.5 毫欧 @ 15A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 77A(Tc) 88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3706STRRPBF
仓库库存编号:
IRF3706STRRPBF-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.5 毫欧 @ 15A,10V,
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MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 77A(Tc) 88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3706STRLPBF
仓库库存编号:
IRF3706STRLPBF-ND
别名:SP001561768
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.5 毫欧 @ 15A,10V,
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