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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD30N06S2L13ATMA4
  仓库库存编号：IPD30N06S2L13ATMA4CT-ND
  别名：IPD30N06S2L13ATMA4CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 30A，10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 120W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM70N10CP ROG
  仓库库存编号：TSM70N10CP ROGTR-ND
  别名：TSM70N10CP ROGTR
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 30A，10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 120W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM70N10CP ROG
  仓库库存编号：TSM70N10CP ROGCT-ND
  别名：TSM70N10CP ROGCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 30A，10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 120W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM70N10CP ROG
  仓库库存编号：TSM70N10CP ROGDKR-ND
  别名：TSM70N10CP ROGDKR
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Ta），40A（Tc） 1.27W（Ta），35.3W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4813NHT4G
  仓库库存编号：NTD4813NHT4GOSTR-ND
  别名：NTD4813NHT4G-ND
  NTD4813NHT4GOSTR
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 7.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.6A（Ta），40A（Tc） 1.27W（Ta），35.3W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4813NT4G
  仓库库存编号：NTD4813NT4G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 7.6A（Ta），40A（Tc） 1.27W（Ta），35.3W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4813N-1G
  仓库库存编号：NTD4813N-1G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 7.6A（Ta），40A（Tc） 1.27W（Ta），35.3W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4813N-35G
  仓库库存编号：NTD4813N-35G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 7.6A（Ta），40A（Tc） 1.27W（Ta），35.3W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4813NH-1G
  仓库库存编号：NTD4813NH-1G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 7.6A（Ta），40A（Tc） 1.27W（Ta），35.3W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4813NH-35G
  仓库库存编号：NTD4813NH-35G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 30A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 60A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 60A（Tc） 3W（Ta），93.7W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50P04-13L-GE3
  仓库库存编号：SUD50P04-13L-GE3CT-ND
  别名：SUD50P04-13L-GE3CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 30A，10V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 60A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 60A（Tc） 3W（Ta），93.7W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50P04-13L-E3
  仓库库存编号：SUD50P04-13L-E3CT-ND
  别名：SUD50P04-13L-E3CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 30A，10V,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.6A（Ta），40A（Tc） 1.27W（Ta），35.3W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD4813NHT4G
  仓库库存编号：NVD4813NHT4G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 30A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 136W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD30N06S2L-13
  仓库库存编号：SPD30N06S2L-13-ND
  别名：SP000012478
  SPD30N06S2L13T
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 30A，10V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3505TRPBF
  仓库库存编号：IRFR3505TRPBFCT-ND
  别名：IRFR3505TRPBFCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 30A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD30N06S2L-13
  仓库库存编号：IPD30N06S2L-13CT-ND
  别名：IPD30N06S2L-13CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 30A，10V,
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