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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600P6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R600P6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R600P6ATMA1CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 2.4A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R600C6
  仓库库存编号：IPB60R600C6CT-ND
  别名：IPB60R600C6CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 2.4A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R600C6
  仓库库存编号：IPP60R600C6-ND
  别名：IPP60R600C6XKSA1
  SP000645074
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 2.4A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600E6
  仓库库存编号：IPD60R600E6CT-ND
  别名：IPD60R600E6CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 2.4A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.9A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4.9A（Tc） 28W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R600P6
  仓库库存编号：IPA60R600P6-ND
  别名：IPA60R600P6XKSA1
  SP001017070
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 2.4A，10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 83W（Tc） TO-262S（I2PAK）
  
  型号：TSM70N600ACL X0G
  仓库库存编号：TSM70N600ACL X0G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 2.4A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU60R600C6BKMA1
  仓库库存编号：IPU60R600C6BKMA1-ND
  别名：SP000931534
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 2.4A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600C6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R600C6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R600C6ATMA1CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 2.4A，10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 113W（Tc） TO-251
  
  型号：DMJ70H600SH3
  仓库库存编号：DMJ70H600SH3-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 2.4A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU60R600C6AKMA1
  仓库库存编号：IPU60R600C6AKMA1-ND
  别名：SP001292878
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 2.4A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） TO-252
  
  型号：IPD60R600E6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R600E6ATMA1-ND
  别名：SP001117094
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 2.4A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10.3A（Tc） 28W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAW60R600CEXKSA1
  仓库库存编号：IPAW60R600CEXKSA1-ND
  别名：SP001391618
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 2.4A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB60R600P6ATMA1
  仓库库存编号：IPB60R600P6ATMA1-ND
  别名：SP001313874
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 2.4A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R600P6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R600P6XKSA1-ND
  别名：IPP60R600P6
  IPP60R600P6-ND
  SP001017054
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 2.4A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 28W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R600E6XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R600E6XKSA1-ND
  别名：IPA60R600E6
  IPA60R600E6-ND
  SP000797298
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 2.4A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R600E6
  仓库库存编号：IPP60R600E6-ND
  别名：IPP60R600E6XKSA1
  SP000797630
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 2.4A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 28W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R600C6XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R600C6XKSA1-ND
  别名：IPA60R600C6
  IPA60R600C6-ND
  SP000660624
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 171W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R065C7ATMA1
  仓库库存编号：IPB65R065C7ATMA1-ND
  别名：SP001080110
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 2.4A，10V,
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  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600C6BTMA1
  仓库库存编号：IPD60R600C6BTMA1CT-ND
  别名：IPD60R600C6BTMA1CT
  IPD60R600C6INCT
  IPD60R600C6INCT-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 2.4A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600P6
  仓库库存编号：IPD60R600P6CT-ND
  别名：IPD60R600P6CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 2.4A，10V,
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