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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),74W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC014NE2LSI
仓库库存编号:
BSC014NE2LSICT-ND
别名:BSC014NE2LSICT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.4 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Ta),180A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSB014N04LX3 G
仓库库存编号:
BSB014N04LX3 GCT-ND
别名:BSB014N04LX3 GCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.4 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC014N03MS G
仓库库存编号:
BSC014N03MS GCT-ND
别名:BSC014N03MS GCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.4 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Ta) 1.6W(Ta),64W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH1R403NL,L1Q
仓库库存编号:
TPH1R403NLL1QCT-ND
别名:TPH1R403NL,L1QCT
TPH1R403NL,L1QCT-ND
TPH1R403NLL1QCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.4 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC014N03LS G
仓库库存编号:
BSC014N03LS GCT-ND
别名:BSC014N03LS GCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.4 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Ta),193A(Tc) 3.13W(Ta), 83W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4H02NT3G
仓库库存编号:
NTMFS4H02NT3G-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.4 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Ta),193A(Tc) 3.13W(Ta), 83W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4H02NFT3G
仓库库存编号:
NTMFS4H02NFT3G-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.4 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Ta),193A(Tc) 3.13W(Ta), 83W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4H02NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4H02NT1G-ND
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Ta),193A(Tc) 3.13W(Ta), 83W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4H02NFT1G
仓库库存编号:
NTMFS4H02NFT1G-ND
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