以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 145A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 145A（Tc） 153W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD8444_F085
  仓库库存编号：FDD8444_F085CT-ND
  别名：FDD8444_F085CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.2 毫欧 @ 50A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 100V 19A 8QFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta） 3.6W（Ta），160W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7185TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7185TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7185TRPBFCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.2 毫欧 @ 50A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），50A（Tc） 153W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD8444L_F085
  仓库库存编号：FDD8444L_F085CT-ND
  别名：FDD8444L_F085CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.2 毫欧 @ 50A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 145A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 145A（Tc） 153W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD8444
  仓库库存编号：FDD8444CT-ND
  别名：FDD8444CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.2 毫欧 @ 50A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 16A（Ta），50A（Tc） 153W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD8444L
  仓库库存编号：FDD8444LCT-ND
  别名：FDD8444LCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.2 毫欧 @ 50A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD5N03LAG
  仓库库存编号：IPD5N03LAGINCT-ND
  别名：IPD5N03LAGINCT
  IPDH5N03LAGINCT
  IPDH5N03LAGINCT-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.2 毫欧 @ 50A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta），80A（Tc） 2.8W（Ta），54W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC052N03S G
  仓库库存编号：BSC052N03S G-ND
  别名：BSC052N03SGXT
  SP000056192
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.2 毫欧 @ 50A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPDH5N03LA G
  仓库库存编号：IPDH5N03LA G-ND
  别名：IPDH5N03LAGXT
  SP000064379
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.2 毫欧 @ 50A，10V,
• 无铅
• 搜索