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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 116A(Tc) 180W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL2203NPBF
仓库库存编号:
IRL2203NPBF-ND
别名:*IRL2203NPBF
SP001573688
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 7 毫欧 @ 60A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 116A(Tc) 3.8W(Ta),180W(Tc) D2PAK
型号:
IRL2203NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRL2203NSTRLPBFCT-ND
别名:IRL2203NSTRLPBFCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 7 毫欧 @ 60A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 210W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2L-07
仓库库存编号:
IPP80N06S2L-07-ND
别名:IPP80N06S2L07
IPP80N06S2L07AKSA1
SP000218831
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 7 毫欧 @ 60A,10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 210W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2L07AKSA2
仓库库存编号:
IPP80N06S2L07AKSA2-ND
别名:SP001067894
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 7 毫欧 @ 60A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 75A(Tc) 180W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRL2203N
仓库库存编号:
AUIRL2203N-ND
别名:SP001521374
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 7 毫欧 @ 60A,10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 3.8W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
IRL2203STRL
仓库库存编号:
IRL2203STRL-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 7 毫欧 @ 60A,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 3.8W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
IRL2203STRR
仓库库存编号:
IRL2203STRR-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 7 毫欧 @ 60A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 116A(Tc) 180W(Tc) TO-220AB
型号:
94-2304
仓库库存编号:
94-2304-ND
别名:*IRL2203N
IRL2203N
IRL2203N-ND
SP001521934
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 7 毫欧 @ 60A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 116A(Tc) 3.8W(Ta),180W(Tc) D2PAK
型号:
94-2113
仓库库存编号:
94-2113-ND
别名:*IRL2203NS
IRL2203NS
IRL2203NS-ND
SP001517146
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 7 毫欧 @ 60A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 116A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 116A(Tc) 3.8W(Ta),180W(Tc) TO-262
型号:
IRL2203NL
仓库库存编号:
IRL2203NL-ND
别名:*IRL2203NL
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 7 毫欧 @ 60A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 116A(Tc) 3.8W(Ta),180W(Tc) D2PAK
型号:
IRL2203NSTRR
仓库库存编号:
IRL2203NSTRR-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 7 毫欧 @ 60A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 116A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 116A(Tc) 3.8W(Ta),180W(Tc) TO-262
型号:
IRL2203NLPBF
仓库库存编号:
IRL2203NLPBF-ND
别名:*IRL2203NLPBF
SP001558636
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 7 毫欧 @ 60A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 210W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2L-07
仓库库存编号:
SPB80N06S2L-07-ND
别名:SP000016357
SPB80N06S2L07T
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含铅
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MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 210W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N06S2L-07
仓库库存编号:
SPP80N06S2L-07-ND
别名:SP000012823
SPP80N06S2L07
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