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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 259W（Tc） TO-220-3
  
  型号：CSD18502KCS
  仓库库存编号：296-34940-5-ND
  别名：296-34940-5
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.9 毫欧 @ 100A，10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Ta），100A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI029N06NAKSA1
  仓库库存编号：IPI029N06NAKSA1-ND
  别名：IPI029N06N
  IPI029N06N-ND
  SP000962134
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.9 毫欧 @ 100A，10V,
• 无铅
• 搜索

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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 24A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Ta），100A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP029N06NAKSA1
  仓库库存编号：IPP029N06NAKSA1-ND
  别名：IPP029N06N
  IPP029N06N-ND
  SP000917404
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.9 毫欧 @ 100A，10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB029N06N3 G
  仓库库存编号：IPB029N06N3 GCT-ND
  别名：IPB029N06N3 GCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.9 毫欧 @ 100A，10V,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 360A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX360N10T
  仓库库存编号：IXFX360N10T-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.9 毫欧 @ 100A，10V,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 360A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 360A（Tc） 1250W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK360N10T
  仓库库存编号：IXFK360N10T-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.9 毫欧 @ 100A，10V,
• 无铅
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