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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 59A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB59N10DPBF
仓库库存编号:
IRFB59N10DPBF-ND
别名:*IRFB59N10DPBF
SP001560232
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 25 毫欧 @ 35.4A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 59A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS59N10DPBF
仓库库存编号:
IRFS59N10DPBF-ND
别名:*IRFS59N10DPBF
SP001571716
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 25 毫欧 @ 35.4A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 59A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS59N10DTRLP
仓库库存编号:
IRFS59N10DTRLP-ND
别名:SP001557452
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 25 毫欧 @ 35.4A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 59A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL59N10D
仓库库存编号:
IRFSL59N10D-ND
别名:*IRFSL59N10D
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 25 毫欧 @ 35.4A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 59A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS59N10DTRRP
仓库库存编号:
IRFS59N10DTRRP-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 25 毫欧 @ 35.4A,10V,
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