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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3709SPBF
仓库库存编号:
IRF3709SPBF-ND
别名:*IRF3709SPBF
SP001571378
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 3.3W(Ta),14.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR472ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR472ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR472ADP-T1-GE3CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 40V MLFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 53A(Tc) 62W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK9M11-40EX
仓库库存编号:
1727-2568-1-ND
别名:1727-2568-1
568-13012-1
568-13012-1-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3709PBF
仓库库存编号:
IRF3709PBF-ND
别名:*IRF3709PBF
SP001570060
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 91A(Tc) 115W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8103VTRPBF
仓库库存编号:
IRLR8103VPBFTR-ND
别名:IRLR8103VPBFTR
SP001558514
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3709STRLPBF
仓库库存编号:
IRF3709STRLPBF-ND
别名:SP001559576
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 91A(Tc) 115W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8103VPBF
仓库库存编号:
IRLR8103VPBF-ND
别名:SP001567340
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4718
仓库库存编号:
785-1295-1-ND
别名:785-1295-1
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 77A(Tc) 87W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3704
仓库库存编号:
IRF3704-ND
别名:*IRF3704
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 77A(Tc) 87W(Tc) TO-262
型号:
IRF3704L
仓库库存编号:
IRF3704L-ND
别名:*IRF3704L
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 77A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3704STRL
仓库库存编号:
IRF3704STRL-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 77A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3704STRR
仓库库存编号:
IRF3704STRR-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 75A(Tc) 88W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3706
仓库库存编号:
IRFR3706-ND
别名:*IRFR3706
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 20V 75A(Tc) 88W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3706
仓库库存编号:
IRFU3706-ND
别名:*IRFU3706
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 90A(Tc) 120W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3709
仓库库存编号:
IRFU3709-ND
别名:*IRFU3709
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3709S
仓库库存编号:
IRF3709S-ND
别名:*IRF3709S
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 90A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) TO-262
型号:
IRF3709L
仓库库存编号:
IRF3709L-ND
别名:*IRF3709L
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 90A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3709
仓库库存编号:
IRF3709-ND
别名:*IRF3709
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3709STRL
仓库库存编号:
IRF3709STRL-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3709STRR
仓库库存编号:
IRF3709STRR-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 15A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 75A(Tc) 88W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3706TR
仓库库存编号:
IRFR3706TR-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 15A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 75A(Tc) 88W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3706TRL
仓库库存编号:
IRFR3706TRL-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 15A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 75A(Tc) 88W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3706TRR
仓库库存编号:
IRFR3706TRR-ND
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MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 91A(Tc) 115W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8103VTRL
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IRLR8103VTRL-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 15A,10V,
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MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 91A(Tc) 115W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8103VTRR
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IRLR8103VTRR-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 15A,10V,
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